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    光電耦合器及其應用電路(2)

     gjl0810 2010-09-12
    應用電路
      
      各種不同結構的光耦可滿足輸入、輸出隔離;輸入與輸出共地或不共地;輸入、輸出是直流或交流,使用極為靈活,因此應用極為廣泛,這里介紹一些典型應用電路。
      
      1.隔離線性放大器電路 如果將輸入的交流信號調制成與信號電壓成比例的調制電流,則經光耦后再經放大可實現隔離線性放大,電路如圖1所示。
      
      由+5V電壓及限流電阻(R1及RP)給發光二極管一個偏置電流IFO (一般IFO取得大一點,約10mA),交流信號電壓經C1、R2后加在發光二極管上,疊加在IFO上形成調制電流。經光耦后輸出調制的光電流,在R3上產生一個與輸入電壓成比例的調制電壓,此電壓經C2隔直,交流成分則經放大器放大輸出。
      這里要指出的是經光耦的電-光及光-電轉換,線性度不是很高。為了減小失真,偏置的電流IFO要大,信號電壓產生的調制電流的峰值電流不超過5mA,可使輸出電壓失真較小。這種光電隔離放大器比隔離放大器要便宜得多。另外,光電三極管的地用表示(說明與輸入電壓不共地)。
      采用PS2701有較好的線性度,輸入信號的頻率可在音頻范圍。
      
      
      2.市電監測電路 圖2是一種市電監測電路,當停電時報警。采用TLP126光耦經限流電阻直接與市電220V連接,使光耦的發光二極管發光,光電三極管導通,使10kΩ電阻上的電壓接近Vdd(光電三極管的飽和管壓降小于0.5V),外接功率MOSFET(VT)的-VGS<1V,則VT截止,報警電路不工作。3.3μF電容是用來穩定VT柵極的電壓,防止交流電壓過零使柵極電壓變化太大而產生誤動作。
      市電停電時,發光二極管無電流,光電三極管截止,VT 的-VGS=9V,VT導通,報警電路工作。
      Si9400是P溝道功率MOSFET,其主要參數是VDS=-20V,在VGS =-10V時RDS(ON)=0.25Ω,ID=±2.5A。8管腳SO封裝,管腳排列如圖3所示,使用時,四個D要焊在一起,兩個S要焊在一起以便于散熱。
      
      3.防盜報警器電路 一種用抽屜被撬防盜報警器電路如圖4所示。它由光遮斷器、遮斷片及有關電路組成。光遮斷器是一種光電傳感器,它由紅外發光二極管及光電三極管及黑色塑料外殼組成,其剖面如圖4左邊所示,其外形如圖4右邊所示。
      其工作原理與光耦完全相同,區別僅僅是它由遮斷片來阻擋光路使光電三極管截止;當遮斷片后移,發光二極管的紅外光照到光電三極管,光電三極管導通。
      光遮斷器安裝在抽屜的底部,遮斷片裝在抽屜上,如圖5所示。要使防盜報警器工作,接通Vcc(+5V)及Vdd(+9V)。抽屜未被撬時,遮斷片遮住光路,光電三極管截止,VT無ID,VT也截止,光耦(TLP169G)的發光二極管無電流,光觸發雙向可控硅截止,報警電路不工作。
      
      當小偷撬開抽屜,拉出抽屜時,遮斷片退后,光遮斷器光路通,光電三極管導通,VT相繼導通,光耦中的發光二極管工作,光觸發雙向可控硅導通,報警器電路工作。
      這個電路的特點是,一旦報警器工作,即使將抽屜關上,遮光片遮斷光路,但雙向可控仍然導通,報警電路仍一直報警,即使小偷發現光遮斷器,將它破壞,但報警電路還工作。按一下開關K斷開Vdd才能使報警電路不工作。
      這里VCC的地與Vdd的地不共地,圖中用兩種地的符號表示。
      
      
      由于光遮斷器有多種型號,要求發光二極管的工作電流IF各不相同,必要時要調整R1的大小,使其滿足IF的要求。
      TLP160G的輸出部分光觸可控硅的最大工作電流在25℃時可達100mA(隨著溫度增加而減小)。若報警電路工作電流大于80mA,最好外接VT2,如圖6所示。
      
      
      4.交流固態繼電器電路
      TLP160G光耦用得最廣的是用作交流固態繼電器。它可以與外接雙向可控硅作簡單連接來驅動市電供電的各種負載。其電路如圖7所示。輸入三極管VT的基極的控制信號為高電平時,VT導通,紅外發光二極管也導通(VCC 經RIN、紅外發光二極管、經VT的C、E極到地),光觸發雙向可控硅導通;這使外接功率較大的三端雙向可控硅導通,負載RL得電。其工作原理相當于圖8中的控制開關:K閉合,雙向可控硅導通;K斷開,雙向可控硅截止。
      如果將虛線框內的電路做成一個單獨的模塊,它就是一個交流固態繼電器。圖7的電路適合于電阻性負載,若是電感性負載,電路中增加一個RC,如圖9所示。
      
      
      這種交流固態繼電器有一個缺點,它的雙向可控硅不是在交流電過零時觸發導通,其結果是正弦波不完整,這瞬間會產生對電網的干擾。外接三端雙向可控硅耐壓要大于400V,工作電流應大于負載最大電流。
      
      5.過零觸發交流固態繼電器電路
      采用內部有交流電過零時觸發電路(圖10中的“ZC”部分)的ILP161G光耦,可以做成過零觸發交流固態繼電器電路,如圖10所示。它能在交流電過零附近觸發雙向可控硅,使交流波形完整,不會造成對電網的干擾。其工作原理與圖9相同。圖中的39Ω及0.01μF RC電路是一種浪涌電壓吸收回路,它用來保護雙向可控硅免于瞬態的過壓而損壞。外接的三端雙向可控硅選擇方法與圖9電路相同。

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