氣霧栽培西瓜，產量高品質好，甚至可以實現一次種植多茬收獲，利用發達氣霧根的營養貯存功能，可以于一茬瓜收獲前就留好預備枝，瓜成熟時連瓜帶蔓剪除瓜蔓枝，把預備枝蔓懸吊引蔓計劃下茬瓜培育，依此方式可以連收三茬，一般第一茬瓜收后45天又可以收獲二茬或三茬瓜。 氣霧栽培西瓜有多種模式，可以是梯架上梯面套種，也可以是溝槽式或者管道式霧培，也可以用簡易的拱式霧培。霧培西瓜根系發達，生長發育良好，可以解決連作障礙，又可以實現減農藥或免農藥生產。霧培西瓜植株與花果器官也具有超常規發育特性，如果采用單株大根量霧培，單株最多可結三十多個瓜， 但生產上大多采用密植多茬，更利于單產提高。西瓜霧培大多用于中小型瓜種植，以生產精品瓜，外觀糖度品質（一般糖度可提高2-3度）都比土壤栽培好，而且同樣品種單瓜重也大大增加。西瓜霧培將會是未來西瓜種植的重要替代技術模式，特別是可以有效解決連作障礙，讓西瓜在同一地塊空間上進行永久持續耕作，無需更換地塊，這對產業發展來說極為重要。 西瓜霧培植株發育生長極快，種植間距適當稀植，利用西瓜易發側芽的特別培育茂盛的光合葉面積，可以單株留雙蔓或者三四蔓結瓜。但至少留雙蔓單株至少一茬結雙瓜。西瓜霧培從育苗到成熟周期比土壤栽培短，可以實現多茬栽培。西瓜耐高溫，在氣霧培環境下只要根霧充足就是達45℃也不會造成太大的生理障礙，但西瓜最適溫度為25-30℃，低于15℃生長發育緩慢，低于5℃有生理障礙，低于0℃受凍害，所以寒區的冬季生產得加溫措施與補光結合。西瓜采用霧培后，枝蔓整理一般采用吊蔓懸引，所對瓜用網袋懸空固定，瓜著色均勻不像鋪地生長瓜著地面皮色淺淡，影響外觀。 西瓜霧培枝蔓生長快速，得保持良好通風透光，減少病蟲害滋生。但同時得及時進行引蔓整枝，一般霧培西瓜這行雙蔓整枝，單株留二瓜，留瓜部位一般于100-120cm高處，對該高處的花進行人工授粉，一般清晨7-10點進行，摘下雄花用花蕊對準雌花柱頭涂蘸，于計劃座瓜高處的節位上連涂2-4朵雌花，以助坐瓜，待瓜長至雞蛋大小時，再行疏瓜定果，去除發育不好或畸形的，選留瓜型瓜位置適當的瓜。為了讓每個瓜發育良好，得確保一定的葉面積系數，對于瓜位上方所抽發的子蔓與孫蔓進行連續的摘心處理，以形成充足的葉面積系統。如果要多茬連續采摘，可以于蔓的基處選留一蔓作為預備蔓培育。
上述為西瓜專用配方
拱型霧培西瓜
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