先上原理圖.
B 參數計算：
變壓器：
頻率;?=65K
輸入電壓范圍：Pin=100-240V
輸出電壓：Po=12V
效率：η=84%
Vcc供電電壓：Vcc=15.5V
最大占空比：Dmax=0.45
ΔB=0.2
1、最小直流電壓：Vinmin=90*1.2=108V
2、最大直流電壓：Vinmax=264*1.414=375V
3、選擇磁芯：AP=【(Po/η Po)*10000】/(2*ΔB*?*J*Ku)
=【(24/0.84 24)*10000】/(2*0.2*65*1000*400*0.2)
=525714/2080000 0.25 cm4
J電流密度=400 Ku繞組系數=0.2
選擇EF25 AP=0.237cm4 AE=51.8mm2
4、Ton計算： Ton=T*D=1/6/5000*0.45=6.9us
5、初級計算： Np=VINmin*ton/ΔB/AE 108*6.9/0.2/51.8 72T
6、次級匝數計算： NS=(Vo Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)
=(12 0.6)*(1-0.45)*72/(108*0.45) 10T
7、匝比計算：N=Np/Ns=72/10=7.2T
8、電流平均值：Iav=Po/η/Vinmin=24/0.84/108 =0.265A
9、峰值電流計算 Ipk=Iav*2/Dmax=0.265*2/0.45=1.178A
10、電流變化率ΔI 計算：CCM Ip2=3Ip1 Ipk=Ipk1 Ipk2
IP1=1.178/4=0.2965A IP2=1.178-0.2695=0.884A
ΔI =Ip2-Ip1
=0.884-0.2965=0.5865A
11、電流有效值：Irms=IPK*
=1.178*0.512=0.6A
Krp(0.4-0.6) ΔI/Ipk=Krp 最大電流脈動系數
12、初級電感量計算：Lp=Vinmin*ton/ΔI=108*6.9/0.5865=1.27mH 13、驗證是否飽和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1.27*1.178/72/51.8=0.4T<0.32T
太高了我們把感量降低一點1mH再驗證
ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1*1.178/72/51.8=0.315T<0.32T
這里具體繞制時再去決定增加圈數還是降低繞組。
14、次級峰值電流：Ipks=Ipk*N=1.178*7.2=8.48A
15、次級有效值計算：Irms=IsPK*
=8.48*0.566=4.78A
12、初級線徑計算：Dp=
*2 =0.178*2=0.35mm J=5-7 這里取6
13、次級線徑計算：Ds=
*2 =0.39*2=0.78mm J取10
14、集膚深度：導線線徑不超過集膚深度的2倍，若超過集膚深度，則需多股并繞。δ=66.1/√∫cm=66.1/254.95=0.259mm
0.259*2=0.52mm
多股線計算=0.78/根號股數=0.78/1.414=0.55mm*2 取0.5*2 或0.55*2
15、次級V/N=(12 0.6)/Ns=12.6/10==1.26/T
16、反饋繞組計算： Nvcc=Vcc/Va=15.5/1.26=12T
變壓器參數：Lp：1mH
NP1： 38T 0.35mm
Ns：10T 0.5*2
Np2： 34T 0.35mm
Nvcc：12T 0.18
NP放在第一層這樣每咋的長度最短減少匝間電容，起線放在MOS端使dv/di最大的部分被繞組屏蔽EMI較好，Vcc放在最外層Vcc滿載不至于過壓，放在初次級之間充當屏蔽。初次級之間加屏蔽，銅箔屏蔽要比線屏蔽效果好，線跟線之間存在縫隙。需要時磁芯外可以包外屏蔽但是屏蔽也是會產生損耗的效率會下降。
1、保險絲：Irmsmax=Iav/0.6 0.6無PFC 加PFC0.9
=0.265/0.6
=0.44A
If=Irmsmax*2 溫度升高降額及安規要求降額
=0.88Amin
輸入額定100-264V，選擇耐壓250V保險絲
額定電壓：即保險絲熔斷兩端電壓，大于輸入額定電壓即可250V
熔斷積分：0.5*Ipk2*t=0.5*Ipk2*(1/T/2) 對表查看可開關的次數。
額定電流：電流承載能力。
分斷能力：額定電壓下，保險絲能夠安全的開路，阻止電流上升至破壞值損毀元器件
保險絲參數：1A/250V
橋堆選擇：
Vd=2√2*Vinmax=2*Vinmax=747V
加470V壓敏防雷擊后其殘壓越775V左右*1.1(它表示在規定的沖擊電流Ip通過壓敏電阻器兩端所產生的電壓此電壓又稱為殘壓，所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護物的耐壓水平。)
Vd=775*1.1=852.5V 471最大殘壓775V
BR1=5*Iav=5*0.265=1.325A
橋堆參數：1A/1KV
壓敏選擇：
1、壓敏電阻：V1ma=a*Vinmax/b/c a：電壓波動系數1.2 b：壓敏誤差系數0.85 c：壓敏老化系數0.9
=1.2*374/0.85/0.9
=487.9V
1000/2=500A IEC61000-4-5浪涌波形發生器對外輸出有2歐的電阻通容量500A，考慮到流通容量隨次數增加衰減需選取2倍。
V1ma：閥值電壓或擊穿電壓壓敏不能持續流過mA級電流，此電壓為流過1mA直流電流壓敏電壓。
限制電壓Vc：為殘壓壓敏擊穿2端的電壓。
流通容量：壓敏承受規定的電流電壓波形及次數后，壓敏電壓不可超過10%的最大沖擊電流的峰值。
根據上述選型表選擇7D471K
X電容
安規規定X電容超過0.1uF需要加釋放電阻，保證輸入斷電1S內降到安全電壓，輸入峰值電壓的37%
0.65*R*Cx=1 如Cx0.22uF
R=1/0.65/0.22=7Mmax Cx：uF R單位M
R=1/0.65/0.22=7M max 我們選擇R1A 1M R1B 2M 這里還要注意耐壓我們選擇2顆1206貼片電阻
因其他放電回路X電容漏電流這些因數所以最好實測調試。
輸入2pin為2類，輸入3pin為1類，2類加強絕緣，1類基本絕緣。2類選擇X2電容，容量越大傳導效果越好。
輸入最大值：264
X電容參數：X2 0.1uF/275V
電解電容選擇：
當低電壓和滿載時，輸入電流和紋波電壓才是最大的，所以我們選擇低壓計算，因為我們電源是要保持輸出電壓調整率的，在橋式整流電路中，只有輸入電壓大于電解電容時橋堆導通才給電容充電，在橋堆不導通的時間內，輸出的能量由電容提供，所以低壓滿載時電容的放電斜率是最大的即ΔV，整流橋的電流也是最大。
C=24/0.9/η/?min/Vacmin2=24/0.9/65/902=50uF
V>Vinmax(375V)
電解電容參數：47uF/400V
共模電感選擇：
我不太喜歡去算太復雜。
先上一個20mH UU9.8 測試傳導去改變感量
Ds=
*2=0.138*2=0.27mm
共模電感：20mH 0.27mm UU9.8
啟動電阻R3 R4:
(Vinmin-Vcc)/啟動電流=R=(108-15.5)/5=18M(max)
電阻太小啟動時間太長，這里選擇2M
PW=(108-15.5)*(108-15.5)/R=0.042W
兩端電壓 375V
R3 R4取值2M 1206
VCC電容、整流二極管、限流電阻選擇。
VCC電容10-15uF 根據推薦值選取，耐壓大于Vcc OVP值一般30V左右
CE2Vcc電容取值：10uF 50V
D2整流二極管 快管 DFR1M
R8限流電阻2-10R選擇 10R
RCD吸收
D1 1N4007
R5//R6經驗取100-200K 這里取R5200K R6200K 實際根據Vds效率調整
C2經驗取102-222這里取102/1KV
計算方法：
Vsn(電容兩端電壓)=0.9*BVdss-Vin
VRO(反射電壓)=(Vo Vd)/(NS/NP)
R=2(Vsn-Vor)*Vsn/(Lk*Ip*Ip*fs)
鉗位電容的值C=Vsn/(ΔV*R*fs)
這個脈動電壓ΔV取鉗位電壓Vsn的5%-10%
以上總結，算出來的結果還得再試驗中得到驗證，只能做個參考;所以我們應以計算為基礎，根據實驗來回調整，找到一個更適合你的值。還有吸收電阻R一定要考慮降額使用，滿足功率要求。
R7限流電阻 減小di改善EMI，經驗取47-100R，這里我用47R 1206
MOS選擇：
Vor=(Vo Vd)/NS*NP=(12 0.6)/10*72=90.27
Vds=Vinmax Vor 漏感(90V) 30(余量)
=375 90.72 90 30V=586，選擇600V的管子
I=Io*3 取(輸出電流2-3倍)
MOS損耗Irms2*Rds=Psw
封裝根據空間盡量取大點，扇熱好溫度低。
MOS參數：6N60 TO-220封裝
MOS驅動及柵極下拉電阻。
R9經驗值20R-47R
D3經驗值1N4148，快速關短
R10柵極下來電阻 經驗值10K
主要參考推薦值
CS電阻
Rcs=Vcs/(IpK*1.2)=0.875/(1.178*1.1)=0.675 Vcs閥值電壓1.2余量
PR=Irms*Vcs=0.6*0.875=0.525W 5pcs1206
R12 R12A R13 R14 R15參數：3.3R1206
R11 C3參照參考值即可，RC濾波來消弱HV對CS腳沖擊保護IC。CS腳上的波形比上面的波形平滑而且不會有那么多毛刺，因為有RC濾波。
R11 C3 參數：
R11 100R
C3 101/50V
C4 FB濾波 推薦值102/50
C5結3腳保護腳，不使用的情況下 推薦貼一顆電阻推薦值104/50V
肖特基選擇：
反向電壓(Vo Vd) Vinmax/Np*Ns=12.6 52=64.6V，余量64.6*2=77.52V
I=Io*5=2*5=10A
封裝TO-220，主要看溫度效率
肖特基參數：10A100VTO-220
C6R16吸收：C6：經驗值102-222
R16：經驗值20-47R
測試輻射再去調整
吸收參數：
C6：102/100V0805
R16：22R 0805
輸出濾波：
電容電壓(Vo Vd)*1.2=12.6*1.2=15.12V
容量 Io*6=1200uF
L1差模電感選擇 10uF以內 線徑 (Io/3.14/7)開根號*2=0.6mm
R17假負載 盡量大，(Vo Vd)/Pw=12.6/0.12=0.0095=I 1206Pw= 0.125W
(Vo Vd)/I=12.6/0.0095=1.326K
輸出共模100uF左右線徑 (Io/3.14/7)開根號*2=0.6mm
參數：CE3：680uF/16V CE4:680uF/16V
L1：3.3uF/06mm
R17：1.5K 1206
LF2：100uF/06mm
反饋：
R18=(Vo-VLED-V431)/If=(12-1.2-2.5)/0.012=691R 817 If：1-50mAmax 431:1-100mA If：取12Ma
取680R PW=(12-1.2-2.5)*0.012=0.0996W
VLED：1.2-1.4V
R19 1.2V/0.001A=1.2K
Pw=1.4V*0.001=0.0014W
(1 R1/R22)*2.5= (1 39K/N)*2.5=12V N=10K
Pw=12/(39k 10k)=0.00025w
參數：
R18： 680R 0805
R19：1.2K 0603
R21：39K 0603 1%
R22：10K 0603 1%
C8 R20：經驗取值105And1K或104And10K
Y電容：
根據初級峰值電壓選取Y1，Y1參數交流額定工作電壓250V，直流額定工作電壓400V；二類產品漏電流小于0.25mA CY=Ileakage/2/π/?/Vrmsmax=0.25/2/3.14/63/264*10-6=2.39nFmax
可以選擇不超過2390pF的電容 我們先選擇Y1 102/400V的根據EMI再去調整，也可以選擇2個Y2串聯。
Y電容參數：Y1 102/400V
C、調試經驗。
1、保險絲保證正常工作電流不損壞，產品損壞大電流時，認證前面是接了一個空氣開關之類的，保證在空氣開關關斷前先斷開，斷開后耐壓保證不拉弧，額定100-240 250V保險絲即可，認證這一項只管滿足額定即可，保險絲屬于安規器件所以元器件就要滿足安規比如我們做UL需要元器件有UL認證，3C元器件需做CQC認證。保險絲前后距離，海拔2000米大于2.0mm 海拔5000米大于2.5mm。
2、壓敏電阻，我們做開關電源范圍都是90-264，471的壓敏即可，具體7D 10D 14D看我們打差模還是共模和幾KV。屬于安規器件所以元器件就要滿足安規比如我們做UL需要元器件有UL認證，3C元器件需做CQC認證。在后級原件可以承受所打雷擊時，可以不加。
3、X電容，大于0.11uF需要釋放電阻來滿足1S電壓釋放至37%，實際選擇還是要看傳導，電壓需滿足耐壓我們電源屬于消費類產品2類產品所以選擇X2。屬于安規器件所以元器件就要滿足安規比如我們做UL需要元器件有UL認證，3C元器件需做CQC認證。容值越大傳導越好。
4、 共模電感，經驗是越大傳導越好。碰過一次高壓效率OK，低壓效率低了就是因為這里線細了。
5、 CE1單電壓220V取值Po*1,寬電壓100-240V取值PO*2，電容太小可能會產生的問題低壓帶載不能起機，功率器件溫度高，傳導不好。
6、R3 R4啟動電阻，太小空載功耗低能效低，高了起機時間慢。可以接在L N或者釋放電阻去降低空載功耗。同樣有起機時間慢的問題。
7、Vcc電容，盡量取大點，碰到過在滿載轉空載時電壓有個跌落，進入欠壓保護。并一個高頻電容可以濾除高頻雜波。
8、R5 R6 吸收電阻，一般選擇100-200K小功率1顆中功率要用到2-3顆，具體看功率。越小Vds越低，能效越差。
9、C2吸收電容，選擇102-222，電容越大Vds越低，能效越差。經驗：更換材質可以降低噪聲。
10、D1二極管，快慢管可以根據EMI噪聲選擇。經驗慢管可以減少MOS關斷時的震蕩頻率。
11、R7限流電阻，降低di，可以改善EMI。
12、R8限流電阻，限制VCC供電電流及濾除尖峰的作用，一般2-10R，調整這個電阻可以改變Vcc電壓，盡量小一點有方案中遇到過大了，空載電壓飄高。
13、D2整流管，盡量選擇快管，碰到過使用慢管空載電壓飄高，碰到一種情況VCC電壓OVP，快管換慢管可以降低。
14、R9驅動電阻一般我取30-47R之間，大一點EMI好，但是效率會下來，這里遇到過問題，一個方案中大于39R，空載電壓會跳。
15、D3快速釋放 提高關斷速度，減小電壓電流交叉面積，減小損耗。因為布線中存在ESL，在驅動波形震蕩厲害的情況下可以穿個小電阻來改善。
16、R10柵極下拉電阻，一般去10K，釋放柵極結電容，防止誤動作，可以接在S極或地。
17、C17在ds預留一個電容位置，改善EMI，100-101,太大影響效率。
18、R11 C3組成以個RC濾波選擇按IC資料，主要有RC濾波,消隱,延時的作用具體看方案。C3不要太大，有碰到裝104低壓帶載不能起機。
19、C4 FB濾波，SSR中沒遇到過問題，在PSR方案中碰過，短路不保護炸機，可以在FB并一個小電容我是并了1個47pF。
20、3腳保護腳，這里我沒用所以并個電容，據FAE介紹可以懸空。這里還可以做輸出OVP，在輸出做一個穩壓電路接光耦過呀點亮FB拉低過壓保護。
