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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：場效應管的工作原理：場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。 從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS（off），此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：場效應管的作用：作用：1.場效應管可應用于放大。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。3.場效應管可以用作可變電阻。4.場效應管可以方便地用作恒流源。5.場效應管可以用作電子開關。
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：場效應管的驅動電路：如下圖：
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：場效應管的特性：與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。 （1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）； （2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好； （4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數； （5）場效應管的抗輻射能力強； （6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：場效應管的使用方法：方案1要用P溝道場管，IRF640N是N溝道的，不能用，還要求PLC的OC端能承受24V電壓，這點可能不行。 方案2用N溝道場管，IRF640N可行。 兩個方案都是低電平接通電磁閥，高電平斷開。 場效應管要注意防靜電。很容易燒壞的。舉個例子：做一個場效應管的的開關電路，控制25w 24v的電磁鐵 ，電源 直流24v ，信號電壓 8v，最低1.7v ，信號和輸出都是兩個 ，一個離合， 一個剎車 ，交替運行 每秒大約5次。方法：1.7至8V的信號電壓通過限流電阻接至三極管基極，三極管集電極觸發由CD4013數字集成電路電路組成的單穩態電路，數字電路4013的輸出端Q和Q非分別驅動2個場效應管，二個效應管均可驅動電磁鐵線圈，使離合、剎車交替進行，選取合適的單穩態電阻和電容元件可以使離合 、剎車每秒1次以上。 場效應管電壓控制元件，僅僅在開關時候需要從柵極吸收或者釋放電流，因此驅動損耗較小。多子器件，沒有電導調制效應，有一個近似線性I-V關系，導通壓降隨著電流增大增大。高耐壓的場效應管的漂移區較厚，因此導通電阻較大。導通電阻具有正溫度系數，并聯時候可以實現自動均流。硅半導體的MOSFET耐壓等級為600V以下。這是因為導通壓降和耐壓的關系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐壓等級可以做到1200V。對于高耐壓情況，IGBT結合了MOSFET和晶體管的特性，具有MOSFET優異的開關性能和晶體管的靜態性能，在1000V~6000V應用場合更受到青睞。
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：大電流場效應管的型號有哪些？下面按順序 型號 耐壓 功率 2SK1119 1000 4 100 GH30N100 1000 30 250 IXGH10N100 1000 10 100 IXGH15N100 1000 15 150 2SK1271 1400 5 240
場效應管大全（工作原理，作用，特性，驅動電路，使用方法）：場效應管的測量方法：場效應管英文縮寫為FET。可分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（MOSFET），我們平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強型和耗盡型而我們平常主板中常見使用的也就是增強型的MOS管。 下圖為MOS管的標識
我們主板中常用的MOS管GDS三個引腳是固定的，不管是N溝道還是P溝道都一樣，把芯片放正，從左到右分別為G極D極S極！如下圖：用二極管檔對MOS管的測量，首先要短接三只引腳對管子進行放電。
1然后用紅表筆接S極。黑表筆接D極。如果測得有500多的數值，說明此管為N溝道。 2黑筆不動，用紅筆去接觸G極測得數值為1 3紅筆移回到S極。此時管子應該為導通 4然后紅筆測D極。而黑筆測S極。應該測得數值為1。（這一步時要注意。因為之前測量時給了G極2。5V萬用表的電壓，所以DS之間還是導通的，不過大概10幾秒后才恢復正常，建議進行這一步時再次短接三腳給管子放電先）
5然后紅筆不動。黑筆去測G極，數值應該為
到此我們可以判定此N溝道場管為正常。有的人說后面兩步可以省略不測，不過我習慣性把五個步驟全用上，呵呵，個人習慣問題！！！當然。對P溝道的測量步驟也一樣，只不過第一步為黑表筆測S極。紅表筆測D極，可以測得500多的數值。
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