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集成塊靜電放電(ESD)損傷
防靜電保護(hù)電路
來自： ldjsld > 《電腦手機(jī)及電子技術(shù)》
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CMOS集成電路的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)（非常詳細(xì)的）
CMOS集成電路的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)（非常詳細(xì)的）電子元件或系統(tǒng)在制造、生產(chǎn)、組裝、測(cè)試、存放、搬運(yùn)等的過程中，靜電會(huì)積累在人體、儀器、儲(chǔ)...
模擬集成電路設(shè)計(jì)流程（7）——ESD簡(jiǎn)介
ESD保護(hù)能力是一個(gè)''''''''短板''''''''問題，芯片的ESD耐受能力是...
靜電在電子工業(yè)中的危害
靜電危害主要有兩種現(xiàn)象：1、完全失去功能：器件不能操作，這和情況占受靜電破壞原件的10%：2、間歇性失去功能：器件可以操作但性能不穩(wěn)...
電子行業(yè)防靜電措施
薄膜電阻器混合集成電路(厚膜、薄膜)電阻單片集成電路薄膜電阻器密封薄膜電阻器 介質(zhì)擊穿,與電壓有關(guān)的電流通路與焦?fàn)枱崃坑嘘P(guān)的微電流通路的破壞電阻漂移金屬化條混合IC.EPROM等 由于ESD使正離子與表...
ESD靜電放電技術(shù)專題-精華版
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ESD測(cè)試級(jí)別及方法
ESD測(cè)試級(jí)別及方法。靜電測(cè)試（ESD）測(cè)試目的：測(cè)試樣機(jī)抗靜電干擾性能。測(cè)試設(shè)備：靜電槍、綜測(cè)儀。（1）接觸放電： +/-4KV（國(guó)標(biāo)）、 +/-6KV、 +/-8KV、 +/-10KV.（2）空氣放電： +/-8KV（國(guó)標(biāo)...
關(guān)于電子設(shè)備靜電放電(ESD)防護(hù)的設(shè)計(jì)原則
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人體靜電放電模式介紹。人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產(chǎn)生的ESD是指因人體在地上走動(dòng)磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當(dāng)此...
生產(chǎn)車間設(shè)備防靜電措施
生產(chǎn)車間設(shè)備防靜電措施生產(chǎn)車間設(shè)備防靜電措施生產(chǎn)車間設(shè)備的防靜電措施一般應(yīng)優(yōu)先選用靜電放電(ESD)敏感度應(yīng)不低于2級(jí)的電子元器件。若必須采用靜電放電(ESD)敏感度為1級(jí)的元器件時(shí)，其保護(hù)電路應(yīng)設(shè)...
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