【原】再次確認！蘋果A15性能遭曝光：全球5nm芯片真的翻車了

【2月13日訊】相信大家都知道，自從各大手機芯片廠商紛紛發布了5nm工藝5G旗艦芯片以后，蘋果A14、高通驍龍888、華為麒麟9000、三星獵戶座2100等5nm工藝旗艦芯片產品，都出現了不同程度的功耗、發熱等翻車問題，這也讓很多網友們紛紛吐槽，在功耗大幅度增加的情況下，整體的性能增長卻非常有限，所以很多網友們也直接質疑：“全球5nm芯片集體翻車了；”

而針對“全球5nm工藝芯片翻車”一事，也有很多專業人士表示，并不是5nm工藝出現問題，而是在老舊的FinFET晶體管上出現了問題，這種老舊的FinFET晶體管在7nm工藝時代就應該被淘汰掉了，但直到5nm工藝時代，臺積電、三星依舊都還在使用老舊的FinFET晶體管技術，為何會在5nm工藝上出現功耗、發熱集體翻車的現狀呢？

這也是因為FinFET晶體管在進入5nm工藝后，由于溝道長度、閾值電壓等都發生了明顯的變化，直接導致晶體管漏電比較嚴重，并且漏電這一部分的功耗直接占到了整個芯片功耗的50%以上，而晶體管漏電的現象也被稱之為“靜態功耗”，所以5nm芯片就會出現功耗持續增大，而導致出現性能提升并不明顯的狀況。

而就在近日，又有外媒正式曝光了蘋果A15芯片的跑分數據，似乎也再次證明了5nm芯片出現了翻車現象，相對于蘋果A14芯片，整體性能提升較小，但功耗依舊比較大，其中蘋果A15芯片 GPU功率最高可達8.5W，遠超蘋果A14的7W峰值，從功耗值數據對比來看，似乎也再次驗證了全球5nm工藝芯片翻車的事實；

而根據臺積電、三星方面的表態，臺積電在進入到3nm工藝時代依舊會采用老舊的FinFET晶體管技術，而三星則會采用全新GAAFET晶體管技術，直接棄用老舊的FinFET晶體管技術，這也意味著三星是否能夠全面超越臺積電，在3nm工藝技術節點也是尤為重要。

最后：對于全球5nm芯片翻車一事，各位小伙伴們，你們對此都有什么樣的看法和意見呢？歡迎在評論區中留言討論，期待你們的精彩評論！