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一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器類別 各類存儲(chǔ)器芯片大致可以按照下圖分類： 
二、SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） SRAM的特點(diǎn)是不需要刷新電路即可以保持內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀寫速度快，斷電后數(shù)據(jù)丟失，存儲(chǔ)容量不能做的很大。 
因?yàn)镾RAM屬于易失性存儲(chǔ)器，所以某些需要掉電后還要保持SRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)的場(chǎng)合，就會(huì)使用電池給SRAM供電，如早期的PLC以及電腦主板的CMOS參數(shù)配置芯片。給SRAM供電的邏輯是這樣的：電路板通電后，電池回路通過(guò)電路板上的二極管或芯片處于反偏置阻斷狀態(tài)，此時(shí)芯片的供電腳電壓由電路板公共電源提供，電路板斷電后，電池電壓再通過(guò)二極管或芯片加至SRAM芯片，使得SRAM芯片的供電電壓一直處于能夠正常保持?jǐn)?shù)據(jù)范圍。 
在維修此類電路板時(shí)，我們一定要注意切勿使得SRAM電壓丟失，因?yàn)橛锌赡?/span>SRAM存儲(chǔ)了重要參數(shù)數(shù)據(jù)或應(yīng)用程序，用戶如果不能恢復(fù)，即使我們維修好了其它部位的故障，電路板也不能正常使用。維修時(shí)注意電池不能隨意拔除，注意避免金屬物件使得電路板上SRAM芯片電源短路，注意切勿清洗電路板電池帶電部位。SRAM雖然損壞概率不高，但較之其它數(shù)字芯片如MCU、DSP、CPLD、FPGA等損壞概率稍高，SRAM損壞，可導(dǎo)致單片機(jī)不跑信號(hào)。小容量的SRAM，某些編程器自帶RAM檢測(cè)程序，可以檢測(cè)，如6264，62128，62256之類，容量大的SRAM，可以通過(guò)代換法驗(yàn)證是否損壞。三、DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）DRAM芯片常見于內(nèi)存卡上，如下圖所示。DRAM需要刷新電路，訪問速度沒有SRAM快，但容量可以做得很大，成本比較低。DRAM內(nèi)存卡經(jīng)歷了幾代，SDRAM，DDR，DDR2，DDR3，目前已經(jīng)到第五代DDR4，這些內(nèi)存條在各種工業(yè)電路板場(chǎng)合都有見到。內(nèi)存條通常有以下幾種損壞情況：內(nèi)存條上的排阻或電阻值變大或開路；內(nèi)存條金手指和插槽接觸不良；內(nèi)存芯片損壞。如果工控機(jī)電路板維修比較多，我們可以常備各種規(guī)格的內(nèi)存條，如果碰到懷疑損壞的內(nèi)存條，就可以使用代換法驗(yàn)證。
四、NVRAM（非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）這類芯片將SRAM和電池做成了一體，即使電路板掉電，芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)也可以保存10年以上。這類芯片除了保留數(shù)據(jù)，還可以做成即時(shí)時(shí)鐘芯片，年月日時(shí)分秒這些時(shí)間數(shù)據(jù)也不會(huì)因?yàn)殡娐钒宓綦姸Ｖ购突靵y。如下圖所示：
這些芯片也是可以使用編程器復(fù)制數(shù)據(jù)的。FRAM也屬于非易失性存儲(chǔ)器，掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且也可以像RAM一樣快速存取數(shù)據(jù)，有并行和串行兩種接口的芯片。如下圖所示：
六、OTP-ROM（一次性可編程ROM）和EPROM（可擦除可編程ROM）
OTP-ROM只能對(duì)內(nèi)部編程一次，如果編程失敗，芯片就只能廢棄，如AT27C256R.EPROM芯片中間有一個(gè)透明石英窗口，如果透過(guò)窗口照射一定強(qiáng)度和時(shí)間的紫外線，就可以擦除內(nèi)部的程序數(shù)據(jù)，芯片就可以再次編程七、掩膜ROM及EEPROM（電可擦除只讀存儲(chǔ)器）某些低成本大量制造的程序固定的ROM芯片，會(huì)使用掩膜工藝，制造時(shí)就把程序錄入了芯片裸片內(nèi)部，綁定引腳后再用黑膠密封。比如早期某些游戲機(jī)，計(jì)算器，玩具芯片，音樂門鈴芯片等就采用這樣的方法，如果這樣的電路板芯片內(nèi)部損壞了就沒有辦法維修了。EEPROM也包括并行方式存取數(shù)據(jù)（28開頭的芯片如28C256）和串行方式存取數(shù)據(jù)的芯片（24開頭的芯片如24C04及93開頭的芯片如93C46），這些芯片數(shù)據(jù)混亂或丟失了，也可以從相同的好的電路板上的芯片復(fù)制數(shù)據(jù)。維修變頻器時(shí)經(jīng)常會(huì)碰到一些莫名奇妙的故障，比如變頻器啟動(dòng)信號(hào)正常但不運(yùn)行，又沒有報(bào)警信息，往往就是這一類串行EEPROM芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)混亂導(dǎo)致。 
FLASH芯片也是非易失性存儲(chǔ)器，掉電數(shù)據(jù)不丟失，并可以復(fù)制芯片數(shù)據(jù)的。
FLASH芯片分為NAND FLASH和NOR FLASH，NOR FLASH 芯片相對(duì)體積大，容量小，每存儲(chǔ)位成本高，但是讀出速度快，可以直接在芯片執(zhí)行代碼，可以按字節(jié)訪問數(shù)據(jù)；而NAND FLASH體積小，每存儲(chǔ)位成本低，容量大，寫入速度很快，適合大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，我們常見的U盤、存儲(chǔ)卡就是使用了NAND FLASH芯片。
某些電路板故障，如不開機(jī)或經(jīng)常重啟，或者報(bào)告載入程序出錯(cuò)，往往可能就是FLASH芯片損壞。FLASH芯片是可以復(fù)制數(shù)據(jù)的，通用編程器一般都有常見的NOR FLASH芯片程序讀寫功能，大容量的NAND FLASH芯片有專門的燒錄器/編程器，數(shù)據(jù)復(fù)制也非常方便。
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