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    Power 介紹——power optimization(1)

     mzsm 2022-06-22 發布于湖北

    本公眾號【讀芯樹:duxinshu_PD】主要介紹數字集成電路物理設計相關知識,才疏學淺,如有錯誤,歡迎指正交流學習。

    這是集成電路物理設計的第四個系列【Power】的第十篇文章,本篇文章主要介紹Power優化相關內容:

    01

    Physical Optimization

    • 對于翻轉率高的節點,采用低電容金屬層(低層金屬)進行布線。

    • 對于高負載節點和總線,采用低電容金屬層(低層金屬)進行布線。

    • 提高翻轉率節點繞線優先級,縮短節點的線長可以降低線電容。

    • 對于定制的寬器件,采用特殊版圖結構,減小寄生電容。

    • 選擇合適的金屬通孔,降低金屬孔的電容。

    • 將高翻轉率的器件盡量靠近放置,降低連線長度。

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    • 將關聯緊密的register靠近放置,縮短clock net長度。

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    02


    Logical Optimization

    • Composition Gate:將翻轉率高的前后兩個cell組合為一個大的gate,這可以顯著縮短net length。

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    • logic reconstruction:重新組合邏輯可能會降低邏輯toggle數目。

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    • recorder logic: 將翻轉率高的pin盡量向后放置,縮短high toggle級數。

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    • sizedown cell可以降低功耗,但可能會影響timing,對于非critical path,可以通過sizedown cell的方式降低功耗。

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    • pin swapping:將翻轉率高的net連接到low capacitance pin上。

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    • Insert Buffer: 通過插入buffer的方式降低net capacitance提高transition time,這有利于降低功耗。

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    • Balance Input Delay: 平衡組合邏輯的輸入端的delay,可以顯著降低輸出端的toggle,進而有效降低動態功耗。

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    05


    參考文獻

    1,Fusion Compiler/ IC Compiler 2 user guide
    2,Innovus user guide
    3,Low Power Methodology Manual For System-on-Chip Design

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