|
TOPCON 電池主要分 LPCVD，PECVD，PVD 三種路線，步驟在 12 步左右。 制絨（捷佳偉創(chuàng)，金舟）。 硼擴(kuò)（拉普拉斯做的最好，北方華創(chuàng)，捷佳偉創(chuàng)也會(huì)做），背面堿拋光（捷佳偉創(chuàng)，金 舟）。 背面隧穿氧化層和多晶硅層沉積（LPCVD，PECVD，PVD 三種路線），LPCVD 先通過(guò)熱氧 化方式長(zhǎng) 1-1.5nm 的遂穿氧化層，再長(zhǎng)本征非晶硅層，結(jié)合磷擴(kuò)散，形成摻雜多晶硅層。PECVD 先用 PECVD 方式長(zhǎng) 1-1.5nm 的遂穿氧化層，再長(zhǎng)摻雜非晶硅層，厚度約為 100-150nm 之間。 PVD 方式和 PECVD 差不多。LPCVD 做的最好的是拉普拉斯，PECVD 做的比較好的是捷佳偉創(chuàng) 和紅太陽(yáng)兩家，北方華創(chuàng)和金辰其次，紅太陽(yáng)的設(shè)備在通威，晶澳，中來(lái)都有在試用 demo 機(jī)，PEALD 微導(dǎo)在做，由于隧穿氧化層通過(guò)有機(jī)硅的方式實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)，成本會(huì)更高，PEALD 這 條路線未來(lái)不會(huì)選擇。PVD 中來(lái)在做。 退火，讓摻雜非晶硅層晶華，形成摻雜多晶硅。磷從非激活態(tài)變成激活態(tài) 刻蝕清洗，鏈?zhǔn)皆O(shè)備把表面 PSG 去掉，再通過(guò)堿刻蝕把正面繞鍍的多晶硅去掉，然后 做槽式清洗，把正面的 BSG 掩膜，背面 PSG 掩膜去掉（捷佳偉創(chuàng)，金舟等） 正面氧化鋁鈍化，管式 ALD（捷佳，微導(dǎo)）或板式 ALD（理想）。 正背面氮化硅鈍化，管式 PECVD（捷佳，紅太陽(yáng)） 絲網(wǎng)印刷，在正背面形成金屬化電極（邁為，科隆威，捷佳偉創(chuàng)） 電注入或光注入（邁為，奧特維，科隆威） 測(cè)試分選（邁為等） 投資者問(wèn)答環(huán)節(jié)： Q：TOPCON 電池價(jià)格 A：TOPCON 電池溢價(jià)在 0.1 元/W，PERC 電池 1.3 元/W，TOPCON 電池 1.4 元/W。組件端 TOPCON 組件比 PERC 組件高 0.1 元/W 的溢價(jià)。 Q：TOPCON 降本 A：TOPCON 成本比 TOPCON 高 0.04 元/W。PECVD 與 LPCVD 相比，成本會(huì)低 0.01 元/W，成 本優(yōu)勢(shì)主要在石英件耗材較少節(jié)省0.005元/W，設(shè)備投資較低，PECVD加退火的方式比LPCVD 本征加磷擴(kuò)的方式節(jié)省 0.007 元-0.008 元/W。其次是金屬化，目前 TOPCON 量產(chǎn)銀漿耗量在 14-16mg/W 的水平，晶科目前 182 整片在 14mg/W 的銀耗，未來(lái)可以通過(guò)網(wǎng)板優(yōu)化，漿料 優(yōu)化降低銀耗，銀漿耗量有望做到 9-10mg/W，目前 PERC 是 8-9mg/W。硅片目前用 150， 160 微米的厚度，明年應(yīng)該能做到 140 微米，再往薄做會(huì)很難。設(shè)備投資目前 1.5-1.7 億/GW， TOPCON 技術(shù)路線掌握在電池廠手里，比 PERC 高 4000-5000 萬(wàn)，未來(lái)還有持續(xù)降本的空間， 去年是 1.9 億/GW，降幅較大。 Q：TOPCON 效率提升 A：激光 SE，導(dǎo)入 SE 需要增加激光 SE 設(shè)備投入，目前可以提效 0.2%，后期做到 0.3-0.4%的 效率提升還是有可能的。背面 POLY 硅厚度優(yōu)化，漿料改進(jìn)，硅片質(zhì)量改善等都有可能提升， 今年晶科量產(chǎn)做到 24.8-24.9%沒(méi)問(wèn)題，明年量產(chǎn)在在年底做到 25.5%以上沒(méi)問(wèn)題 Q：TOPCON 良率 A：晶科可以做到 98%以上的良率，晶科卡的不嚴(yán)，通威卡的嚴(yán)，行業(yè)良率在 96%左右，比 PERC 低 2-3%，還有很大的提升空間。 Q：TOPCON 后續(xù)落地產(chǎn)能和擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏 A：今年 80GW 有點(diǎn)難，60GW 沒(méi)問(wèn)題。晶科已經(jīng)有 16GW，還有 8GW，總計(jì) 24GW。中來(lái) 一期 4GW 加泰州 3.6GW，接近 8GW。天合宿遷有 8GW 要投，晶澳已經(jīng)有 1.3GW，6GW 在 招標(biāo)，一道有 6GW，鈞達(dá)有 8GW，阿特斯有 6GW。這兩年的規(guī)劃（2024 年之前）已經(jīng)超 過(guò) 160GW。 Q：TOPCON 組件價(jià)格 A：PERC 在 1.9-2.0 元之間，TOPCON 在 2.06-2.10 之間，HJT 比 TOPCON 略高一點(diǎn)在 2.10 元 /W 以上。HJT 和 TOPCON 之間效率差不多，組件功率高 4-5W，沒(méi)什么溢價(jià)。 Q：HJT 情況 A：銀耗在 23-25mg/W，目前研發(fā)做到 20mg/W，比 TOPCON12mg/W 還高很多。硅片 130 微米硅片沒(méi)問(wèn)題，但如果再往下做明年也不一定樂(lè)觀。設(shè)備投資上正背面改微晶可以提 0.7-0.8%的效率，比 TOPCON 會(huì)有 0.5%的效率優(yōu)勢(shì)，到明年底 HJT 中試可能還會(huì)有 26%的效 率出現(xiàn)。銀包銅到今年年底有可能上，但薄片化有碎片率高的問(wèn)題，激光轉(zhuǎn)印技術(shù)也沒(méi)有這 么快，還需要持續(xù)降本。150 微米 HJT 良率在 99%以上，130 微米 HJT 良率在 98%以上接近 99%。今年年底之前做到 130 微米沒(méi)什么問(wèn)題。但 120 微米以下碎片率會(huì)高很多，后面會(huì)上 但沒(méi)那么快，今年比較難。 Q：PE-POLY 路線能否成為主流 A：晶科 20 多 GW 全是 LPCVD 路線，一道也是 LPCVD 路線，捷泰一期 8GW 選擇 LPCVD，二 期 8GW 可能會(huì)選擇 PECVD，LPCVD 是比較穩(wěn)妥的方案，后期下單比較多的通威 8GW，天合 8GW，潤(rùn)陽(yáng) 10GW 改造，晶澳 1.3GW+6GW 招標(biāo)都是 PECVD，但 PECVD 沒(méi)有大規(guī)模跑片不知 道是不是有問(wèn)題。但PECVD原位摻雜的方式可以把POLY做薄，均勻性，摻雜濃度相比于LPCVD 有優(yōu)勢(shì)，效率會(huì)較高，此外 PECVD 的產(chǎn)能 6 管可以做到 6800 片/h 的產(chǎn)能，比 LPCVD4000 片/h 的產(chǎn)能大很多，另外 PECVD 用的是石墨舟不存在石英舟損耗的問(wèn)題。后面投的公司主 要還是看重 PECVD 的成本優(yōu)勢(shì)，目前天合可以做到和 LP 持平，其他家做 PECVD 路線效率比 LPCVD 也會(huì)稍差一些。目前落地的產(chǎn)能 LP 和 PE 是 64 開(kāi)，未來(lái) PE 路線會(huì)更樂(lè)觀。 Q：硼擴(kuò) SE A：目前 SE 晶科在做，其他幾家都沒(méi)在做，不知道晶科進(jìn)展如何，效率有 0.2%的提升，良 率未知。對(duì)應(yīng)價(jià)值量 2500 萬(wàn)/GW，費(fèi)用較大，技術(shù)也不是很成熟，目前投產(chǎn)不太會(huì)上這個(gè) 技術(shù)路線。當(dāng)前的經(jīng)濟(jì)性不高。 Q：激光設(shè)備廠商 A：和帝爾合作做激光 SE，目前無(wú)進(jìn)展，直摻很難做，如果做二次摻雜難度不大。 Q：PEALD 與 PECVD 比較 A：PEALD 用有機(jī)硅為原材料比 PECVD 用笑氣更高，均勻性兩者差不多，通威以前 1GW 都 用 PEALD，現(xiàn)在全部改為 PECVD，尚德也用了 2GW 的 PEALD 設(shè)備，專(zhuān)家的公司以前用 PEALD 但現(xiàn)在也改用 PECVD，未來(lái) PEALD 沒(méi)有優(yōu)勢(shì) Q：PVD 的優(yōu)缺點(diǎn) A：優(yōu)點(diǎn)是無(wú)繞鍍，產(chǎn)能更大，良率更高。缺點(diǎn)是機(jī)臺(tái)開(kāi)機(jī)率低，需要經(jīng)常維護(hù)，此外效率 較低（中來(lái)實(shí)際量產(chǎn)效率 24.3%），設(shè)備投資成本更多，占地面積更大。PVD 為了防止背面 邊緣不漏電有 0.7-0.8mm 不做鈍化，效率會(huì)有所損失，其次 PVD 轟擊會(huì)有損傷，鈍化會(huì)更 差，效率有所損傷。目前 PVD 只有中來(lái)在用，但如果 TOPCON 電池可以做薄，PVD 方式會(huì) 更有優(yōu)勢(shì)。 Q：鈣鈦礦 A：三四年內(nèi)看不到，鈣鈦礦處在很早的階段，目前穩(wěn)定性，光衰，紫外線分解等問(wèn)題都沒(méi) 有得到解決，真正大規(guī)模量產(chǎn)還很早。后期可能晶硅電池和鈣鈦礦電池做疊層，但沒(méi)這么快。 Q：HJT 超過(guò) TOPCON A：至少要過(guò)兩年左右，需要用電鍍銅，銀包銅等新技術(shù)把成本將下來(lái)，從今明兩年來(lái)看， 成本還是很難往下降。從疊層電池來(lái)看 HJT 和鈣鈦礦都是低溫制程相比 TOPCON 會(huì)更容易。 Q：細(xì)柵線 A：TOPCON 正面細(xì)柵線寬 25 微米左右，HJT 在 35 微米左右，用鋼板印刷 HJT 可以做到 27 微米線寬，TOPCON 可以做到 20 微米 |
|
|
