GPIO的Drive strength測試方法

新用戶62592529 2023-10-12 發(fā)布于四川

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文章出自網(wǎng)始如芯 CSDN

芯片IO口Driving能力（Sourcing Current）測試方法

Part 1

前面我們寫了3篇文章探討GPIO有關(guān)壓擺率，驅(qū)動強度，上下拉等，

今天看一看GPIO在出廠前經(jīng)歷的驅(qū)動強度測試，我找了一篇文章，其實測試方法是比較難以找到資料，基本只有IC廠內(nèi)部才有，

下面這篇文章不能說和我司廠里的文檔有些相似，只能說基本一致，只不過是中英文差異。沈土豪懷疑其實這位同仁很有可能就是我們公司的。

Part 2

PMOS管測試步驟（Drive High Ability）

1、將IO PAD配置成output模式，DUT供電電壓為可正常工作的最低電壓，如依datasheet允許，下降10%（3.3V——>2.97V）等。

2、將IO PAD配置成最大Driving電流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA兩檔，則應(yīng)該選擇8mA這檔進行測試。

3、將IO PAD連接電子負載設(shè)備（Electronic Load），電子負載設(shè)備設(shè)定灌電流為8mA。

4、將IO PAD持續(xù)輸出高電平。

5、測量IO PAD端的壓降，一般要求是高于Voh或者是大于供電電壓的85%（2.97x0.85=2.5245）。

NMOS管測試步驟（Drive Low Ability）

1、將IO PAD配置成output模式，DUT供電電壓為可正常工作的最低電壓，如依datasheet允許，下降10%等（3.3V——>2.97V）。

2、將IO PAD配置成最大Driving電流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA兩檔，則應(yīng)該選擇8mA這檔進行測試。

3、將IO PAD連接電子負載設(shè)備（Electronic Load），電子負載設(shè)備設(shè)定灌電流為8mA。

4、將IO PAD持續(xù)輸出低電平。

5、測量IO PAD端的壓降，一般要求是低于Vol或者是小于供電電壓的15%（2.97x0.15=0.4455）。

Part 3

上面的資料，需要對GPIO的驅(qū)動強度，電子負載儀，稍微有一點點認識應(yīng)該就可以了。

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來自：新用戶62592529 > 《芯片》

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