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01 Windows 11更新,SSD故障解決辦法 微軟最近發(fā)布了新的Windows 11更新,即KB5063878,版本號(hào)為26100.4946。 根據(jù)補(bǔ)丁說明,最新版本應(yīng)該是為了解決操作系統(tǒng)的安全問題,但更新會(huì)在大文件傳輸過程中導(dǎo)致固態(tài)硬盤故障。 Win11 23H2和Win10用戶也沒能躲過。 Win10更新版本:KB5063709 / KB5063877 / KB5063871 / KB5063889 Win11更新版本:KB5063878、KB5063875 ![]() 初步分析認(rèn)為,KB5063878更新可能引入了存儲(chǔ)棧(storage stack)層面的緩存或緩沖區(qū)管理漏洞,導(dǎo)致在長(zhǎng)時(shí)間、大容量寫入情況下,系統(tǒng)未能有效處理寫入隊(duì)列和數(shù)據(jù)刷新,進(jìn)而觸發(fā)SSD控制器失去響應(yīng)。 當(dāng)嘗試連續(xù)傳輸超過50GB的文件時(shí),SSD控制器使用率超過60%,就會(huì)出現(xiàn)硬盤設(shè)備掉盤,對(duì)應(yīng)的SMART信息無法被系統(tǒng)讀取等情況。 即便系統(tǒng)重啟后,硬盤可短暫恢復(fù)顯示,但類似的寫入操作會(huì)再次引發(fā)故障,存在文件損壞的風(fēng)險(xiǎn)。 就算讀寫沒有到50G以上,只要長(zhǎng)時(shí)間讀寫就可能出問題。 ![]() 在長(zhǎng)時(shí)間傳輸后,操作系統(tǒng)無法識(shí)別固態(tài)硬盤,如果重新啟動(dòng)更新后的電腦,硬盤就會(huì)變得無法訪問。 除了固態(tài)硬盤的問題,微軟承認(rèn)還可能出現(xiàn),重置和恢復(fù)工具失敗。 當(dāng)用戶嘗試重置或恢復(fù)設(shè)備時(shí),會(huì)觸發(fā)此漏洞。 運(yùn)行以下關(guān)鍵恢復(fù)流程會(huì)觸發(fā)此漏洞: 重置我的電腦、使用Windows更新修復(fù)問題以及RemoteWipe CSP。 ![]() 在某些Windows客戶端版本上,安裝2025年8月Windows安全更新后會(huì)出現(xiàn)此問題。 在Windows 10和11客戶端版本上安裝KB5063875后,這個(gè)問題再次出現(xiàn),但服務(wù)器操作系統(tǒng)和 Windows 11 24H2版本則沒有這個(gè)問題。 這意味著運(yùn)行最新版本 Windows 的任何人都不會(huì)受到影響,但仍在使用 Windows 10的任何人都可能會(huì)受到影響。 而此時(shí)微軟正試圖鼓勵(lì)人們將其操作系統(tǒng)或硬件升級(jí)到較新的系統(tǒng),因此需要重置和恢復(fù)功能。 測(cè)試發(fā)現(xiàn)使用Phison NAND控制器的固態(tài)硬盤更容易出現(xiàn)問題,但并非所有硬盤都會(huì)受到影響。 出問題的固態(tài)硬盤如下: 海盜船F(xiàn)orce MP600 (Phison E16控制器) Phison PS5012-E12(Phison PS5012-E12控制器) 閃迪至尊極速專業(yè)版M.2 NVMe(Triton MP28控制器) Fikwot FN955(聯(lián)蕓MAP1602 + WDS X3 9070控制器) Kioxia Exceria Plus G4 1 TB(Phison E31T控制器) 一些SSD可能無法訪問,但重啟后恢復(fù),包括: WD Blue SN5000 2TB(Polaris 3控制器) WD Red SA500 2TB SATA(Marvell 88SS1074控制器) Crucial P3 Plus(Phison E21T控制器) Corsair MP510 960GB (Phison E12控制器) 微軟和固態(tài)硬盤制造商尚未對(duì)Windows 11更新問題進(jìn)行驗(yàn)證,但更新PC和配備Phison控制器的固態(tài)硬盤的用戶盡量避免進(jìn)行超過50GB的連續(xù)傳輸。 如果已經(jīng)更新,最好也不要現(xiàn)在就更新到KB5063878或回滾到以前的版本。 如果計(jì)劃進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的大數(shù)據(jù)量寫入操作,為了保險(xiǎn),建議先卸載KB5063878等更新,避免可能出現(xiàn)的問題。 操作:依次打開“設(shè)置”-“Windows更新”-“更新歷史記錄”-“卸載更新”中,找到對(duì)應(yīng)的補(bǔ)丁編號(hào)并卸載,重啟系統(tǒng)。 無論是否更新,均建議定期備份重要數(shù)據(jù),以防突發(fā)故障導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。 牢記數(shù)據(jù)備份3-2-1法則(3份副本,2種介質(zhì),1份異地) ?保存3份數(shù)據(jù)(1份原始數(shù)據(jù)和2份副本數(shù)據(jù)) ?保存在2種不同的存儲(chǔ)介質(zhì)(例如本地存儲(chǔ)和云端) ?采用1個(gè)異地備份解決方案(防止站點(diǎn)故障,丟失數(shù)據(jù))
02 三星電子HBM4樣品通過驗(yàn)證 三星電子上個(gè)月向英偉達(dá)交付的HBM4樣品,已通過初步原型和質(zhì)量測(cè)試,預(yù)計(jì)本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)(PP)階段。 ![]() PP是半導(dǎo)體量產(chǎn)前進(jìn)行的最終驗(yàn)證流程,通過此步驟后,即可開始向量產(chǎn)過渡。 SK海力士3月交付HBM4樣品,6月初開始批量供貨。 如果三星電子順利通過PP階段并開始量產(chǎn),預(yù)計(jì)將迅速縮小與SK海力士的差距。
03 浙江力積存儲(chǔ)科技股份有限公司Zhejiang Zentel Memory Technology Co., Ltd.,2025年5月28日在港交所遞交招股書,擬赴香港上市。 中國(guó)證監(jiān)會(huì)國(guó)際司2025年8月1日至8月7日出具補(bǔ)充材料要求,詳細(xì)如下: 一、請(qǐng)補(bǔ)充說明你公司及子公司經(jīng)營(yíng)范圍是否涉及《外商投資準(zhǔn)入特別管理措施(負(fù)面清單)(2024年版)》領(lǐng)域,本次發(fā)行上市前后是否持續(xù)符合外資準(zhǔn)入政策要求。 二、請(qǐng)補(bǔ)充說明2025年4月鷹溪三號(hào)將所持股份轉(zhuǎn)讓給鷹溪BVI的背景和原因,鷹溪BVI設(shè)立及受讓股權(quán)所履行的外匯管理、境外投資、外商投資等監(jiān)管程序情況,相關(guān)股權(quán)轉(zhuǎn)讓對(duì)價(jià)、定價(jià)依據(jù)及稅費(fèi)繳納情況,以及在境內(nèi)已有員工持股平臺(tái)的情況下設(shè)置境外員工持股平臺(tái)的必要性。 三、請(qǐng)補(bǔ)充說明已實(shí)施的股權(quán)激勵(lì)方案合規(guī)性,包括具體人員構(gòu)成及任職情況,參與人員與發(fā)行人其他股東、董事、監(jiān)事、高級(jí)管理人員是否存在關(guān)聯(lián)關(guān)系,以及價(jià)格公允性、協(xié)議約定情況、履行決策程序情況、規(guī)范運(yùn)行情況,是否存在預(yù)留權(quán)益或尚未授予的權(quán)益,并就其是否合法合規(guī)、是否存在利益輸送出具明確結(jié)論性意見。 四、請(qǐng)補(bǔ)充說明其歷史沿革中是否存在股權(quán)代持情況。 五、請(qǐng)你公司補(bǔ)充說明開發(fā)、運(yùn)營(yíng)的網(wǎng)站、APP、小程序等產(chǎn)品情況,收集及儲(chǔ)存的用戶信息規(guī)模、數(shù)據(jù)收集使用情況,是否涉及向第三方提供個(gè)人用戶信息,上市前后個(gè)人信息保護(hù)和數(shù)據(jù)安全的安排或措施。 六、請(qǐng)補(bǔ)充說明本次擬參與“全流通”的股東所持股份是否存在被質(zhì)押、凍結(jié)或其他權(quán)利瑕疵的情形。 ![]() 力積存儲(chǔ)2020年公司控股股東應(yīng)偉先生收購(gòu)傳承20多年歷史的Zentel Japan大部分股權(quán),并決定在中國(guó)發(fā)展業(yè)務(wù)。 作為中國(guó)領(lǐng)先的內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)公司及AI存算解決方案供貨商,致力于不斷開發(fā)設(shè)計(jì)高帶寬、低功耗、高可靠性的存儲(chǔ)解決方案,為客戶提供卓越質(zhì)量和性能的產(chǎn)品。 2024年,力積存儲(chǔ)銷售超過1億片內(nèi)存芯片(包括模塊及晶圓內(nèi)含有的芯片)。 2024年按利基DRAM收入計(jì),力積存儲(chǔ)在全球利基DRAM市場(chǎng)的中國(guó)內(nèi)陸公司中排名第四。 產(chǎn)品布局全面,涵蓋了各代際的DRAM存儲(chǔ)器類型,能夠提供完整的系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)解決方案,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、能源及工業(yè)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。 公司通過自主研發(fā),已掌握從產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證測(cè)試、質(zhì)量管控到量產(chǎn)出貨的全產(chǎn)業(yè)鏈的多項(xiàng)成熟技術(shù)及專門知識(shí),及高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品相關(guān)的先進(jìn)核心技術(shù)。 力積存儲(chǔ)與全球知名的晶圓代工廠力積電保持長(zhǎng)期合作關(guān)系,與全球前十大內(nèi)存模塊生產(chǎn)廠商中的兩家威剛科技、記憶科技建立了合作關(guān)系,確保擁有支撐穩(wěn)定產(chǎn)能的供應(yīng)鏈。
04 三星擴(kuò)展了9100 Pro PCIe 5.0 SSD產(chǎn)品線,新增兩款8TB型號(hào):標(biāo)準(zhǔn)版9100 Pro 8TB和帶散熱片的9100 Pro 8TB。 首款消費(fèi)級(jí)的8TB SSD。 ![]() 標(biāo)準(zhǔn)版面向有大容量存儲(chǔ)需求的用戶,帶散熱片的版本面向追求更佳散熱管理和持續(xù)峰值性能的游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者和專業(yè)人士。 新款超大容量固態(tài)硬盤專為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì),順序讀取速度高達(dá)14800 MB/s,寫入速度高達(dá)13400 MB/s。隨機(jī)讀取和寫入性能分別達(dá)到2200K IOPS 和2600K IOPS。 能效顯著高于前代產(chǎn)品,能耗降低49%。 9100 Pro系列最初3月推出,提供1TB、2TB和4TB三個(gè)容量選項(xiàng)。 ![]() 新款8TB版本是三星目前容量最高的PCIe SSD,平均每個(gè)90GB大小,可存儲(chǔ)約80款熱門PC游戲。采用PCIe 5.0接口,兼容大多數(shù)現(xiàn)代筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和游戲機(jī)。 1TB、2TB和4TB型號(hào)的散熱器厚度為8.8毫米,符合PCI-SIG D8標(biāo)準(zhǔn),確保與PlayStation 5主機(jī)完全兼容。 8TB版本則配備了厚度11.25毫米的散熱器,盡管未遵循D8標(biāo)準(zhǔn),但經(jīng)過定制設(shè)計(jì),可與PS5配合使用。 8TB型號(hào)將在9月中旬上市。 ![]() 標(biāo)準(zhǔn)M.2 8TB型號(hào)起價(jià)999美元,帶散熱器版本起價(jià)1019美元。 兩款產(chǎn)品均享有五年有限質(zhì)保,耐用性評(píng)級(jí)為4800 TBW(寫入TB數(shù)據(jù))。 9100 Pro系列是市面上速度最快、性能最強(qiáng)的消費(fèi)級(jí)SSD之一,無論容量大小。 然而價(jià)格不菲,甚至與三星的990 Pro PCIe 4.0固態(tài)硬盤相比也毫不遜色,因此這些型號(hào)最適合追求頂級(jí)性能并愿意為先進(jìn)技術(shù)支付高價(jià)的專業(yè)人士和硬核游戲玩家。
05 鎧俠宣布成功研發(fā)出面向AI大模型應(yīng)用的大容量、高帶寬閃存模塊原型,具備5TB容量和64GB/s帶寬,突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)器在容量與帶寬之間的難題。 在后5G/6G時(shí)代,無線網(wǎng)絡(luò)有望實(shí)現(xiàn)更高速度、更低時(shí)延,并支持同時(shí)連接更多設(shè)備。 然而,將數(shù)據(jù)傳輸至云服務(wù)器進(jìn)行處理會(huì)增加整個(gè)網(wǎng)絡(luò)(包括有線網(wǎng)絡(luò))的延遲,從而使實(shí)時(shí)應(yīng)用難以運(yùn)行。 為此,需要廣泛部署能夠更貼近用戶進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的MEC移動(dòng)邊緣計(jì)算服務(wù)器,預(yù)計(jì)這將推動(dòng)各行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。 ![]() 與此同時(shí),近年來對(duì)包括生成式AI在內(nèi)的高級(jí)人工智能應(yīng)用需求持續(xù)增長(zhǎng)。 隨著MEC服務(wù)器性能的提升,存儲(chǔ)模塊也被要求具備更大容量和更高帶寬。 這一成果有望加速物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、大數(shù)據(jù)分析和先進(jìn)人工智能處理等應(yīng)用的普及,尤其是在后5G / 6G移動(dòng)邊緣計(jì)算(MEC)服務(wù)器等場(chǎng)景中。 為了同時(shí)滿足大容量和高帶寬需求,鎧俠在研發(fā)過程中采用了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),例如菊花鏈連接,將控制器串連接到每個(gè)Flash存儲(chǔ)板上,避免了總線式結(jié)構(gòu)中隨容量擴(kuò)展帶寬下降的問題。 ![]() 除此之外,還應(yīng)用了128Gbps PAM4高速低功耗收發(fā)器:在控制器之間采用高速差分串行信號(hào)而非并行信號(hào),減少連接數(shù)量,并利用PAM4在降低功耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)128Gbps帶寬。 還采用了閃存性能提升技術(shù),包括閃存預(yù)讀技術(shù),用于縮短順序訪問的讀取延遲,以及通過低幅度信號(hào)與失真校正技術(shù),將控制器與閃存接口的傳輸速率提升至4.0Gbps。 ![]() 鎧俠完成了基于PCIe 6.0(64Gbps,8通道)的存儲(chǔ)控制器和模塊原型開發(fā)。 實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,該模塊在功耗低于40瓦的條件下,實(shí)現(xiàn)5TB容量與64GB/s帶寬。
06 可移動(dòng)安全數(shù)字 (SD) 閃存卡1999年由Sandisk、東芝和松下首次推出,作為便攜式電子產(chǎn)品(如數(shù)碼相機(jī)和便攜式 (MP3) 媒體播放器)使用外部端口存儲(chǔ)或加載數(shù)據(jù),并將物理傳輸?shù)狡渌O(shè)備(如 PC)的一種方式。 ![]() 這三家公司還需要與當(dāng)時(shí)索尼流行的Memory Stick以及奧林巴斯和富士膠片推廣的xD-Picture卡競(jìng)爭(zhēng)。 所有存儲(chǔ)卡供應(yīng)商及使用的設(shè)備都面臨著存儲(chǔ)卡市場(chǎng)碎片化的困境,這限制了技術(shù)發(fā)展和市場(chǎng)增長(zhǎng)。 需要一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),而這三家公司認(rèn)為他們能夠?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)。 SD卡控制器主要由Sandisk基于現(xiàn)有的多媒體卡(MMC)設(shè)計(jì)開發(fā),松下和東芝負(fù)責(zé)制定整體產(chǎn)品規(guī)格。 Sandisk SD卡 ![]() SD卡尺寸小巧,僅為32 x 24 x 2.1毫米,如同郵票大小,因此比CompactFlash(42.8 x 36.4 x 3.3毫米)或SmartMedia卡更適合目標(biāo)產(chǎn)品,而且容量也比這些替代方案更高。 初始容量范圍為8MB至64MB。 三家原始供應(yīng)商2000年成立了SD協(xié)會(huì),制定SD標(biāo)準(zhǔn),確保目標(biāo)設(shè)備和SD制造商之間的兼容性。 第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)定義了8MB至2GB的范圍,以今天的標(biāo)準(zhǔn)來看,這太小了。 目前,Sandisk Extreme PRO SDHC卡的容量范圍為32GB至2TB,最高容量提升了千倍。 最初的SD卡在總線接口上的傳輸速率為12.5 MBps。高速模式提升至25 MBps。 同樣,與后來的標(biāo)準(zhǔn)(例如v8的3.94 GBps)相比,這非常慢。 2003年推出了用于手機(jī)的較小的miniSD格式(20 x 21.5毫米),但一年后就被更小的microSD設(shè)計(jì)(15 x 11毫米)取代。 引入其他SD格式以提供更高的速度和容量: 2006年推出SDHC(安全數(shù)字高容量)存儲(chǔ)卡,最高容量32GB 2009年推出的SDXC(安全數(shù)字?jǐn)U展容量),容量高達(dá)2TB,速度高達(dá)300 MBps 2018年推出的SDUC(安全數(shù)字超大容量)最高支持128TB容量和985 MBps速度 這三種格式由于使用了UHS(超高速)總線接口,速度比SD格式更快。 更復(fù)雜的是,UHS-1、UHS-II、UHS-III和Express等多個(gè)版本,并且各個(gè)版本可能擁有各自的傳輸模式,并能以不同的速度運(yùn)行。 SD卡必須與移動(dòng)設(shè)備連接,每種類型的SD卡都有各自的連接方式,也包括與PC和筆記本電腦的連接方式。 它們擁有標(biāo)準(zhǔn)化的內(nèi)部互連,1999年被稱為 PCI(外圍組件互連)總線。 該標(biāo)準(zhǔn)在2003年發(fā)展成為 PCIe(PCI Express)標(biāo)準(zhǔn),第一代PCIe每通道速度約為250 MBps,而 PCI的速度為133 MBps。 第二代PCIe 2007年問世,每通道速度約為500 MBps。 PCI/PCIe標(biāo)準(zhǔn)的不斷發(fā)展,意味著SD標(biāo)準(zhǔn)也必須隨之發(fā)展。 主要的SD標(biāo)準(zhǔn)版本和變更如下: 2000年的v1.0 2006年v2.0,增加了SDHC 2010年推出的v3.1版本,配備SDXC和UHS-I 2013年的v4.1引入了UHS-II總線 2016年v5.0增加了特殊視頻速度類型 2017年v6.0新增應(yīng)用性能規(guī)范 2018年推出的v7.0版本,支持SD Express、microSD Express、SDUC、PCIe Gen 2和Gen 3以及 NVMe,速度高達(dá)985 MBps 2020年的v8.0增加了PCIe Gen 4支持,速度高達(dá)3.94 GBps,microExpress卡的最大速度翻倍至2 GBps,并支持單通道PCIe Gen 4通道 2022年推出的v9.0版本,具有安全性、電源和熱管理功能 2023年推出v9.1,新增SD Express速度等級(jí) SD產(chǎn)品的存在理由在于沒有有線或無線電通信替代方案。 藍(lán)牙的興起意味著便攜式設(shè)備(如數(shù)碼相機(jī)或游戲機(jī))與PC/筆記本電腦之間的短距離無線電連接,可以消除對(duì)SD卡的需求。 便攜式設(shè)備與手機(jī)的融合(手機(jī)也兼具相機(jī)和媒體播放器的功能),意味著通過無線電通信進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸變得更加普遍。 SD卡仍然可以擴(kuò)展智能手機(jī)或數(shù)碼相機(jī)的存儲(chǔ)容量。 全新的子市場(chǎng)如雨后春筍般涌現(xiàn),例如行車記錄儀和無人機(jī)攝像頭。 2023年,SD卡出貨量達(dá)56億張,其中microSD卡占比近72%,這得益于在智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(例如帶攝像頭的無人機(jī))中的廣泛應(yīng)用。 SD卡市場(chǎng)規(guī)模達(dá)175億美元,預(yù)計(jì)到2032年將達(dá)到248億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為3.9%。 其他預(yù)測(cè)有所不同。例如,Metastat表示,全球SD存儲(chǔ)卡市場(chǎng)規(guī)模2024年達(dá)到95.2億美元,2024 年至2031年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為2.5%。 PCIe 5.0和PCIe 6.0即將到來,這意味著SD卡標(biāo)準(zhǔn)需要修改才能支持它們。 目前還沒有v10.0 SD卡標(biāo)準(zhǔn),但可以肯定,SD卡制造商正在考慮這個(gè)問題。 SD卡是一項(xiàng)非常成功的技術(shù),它統(tǒng)一了原本分散的存儲(chǔ)卡市場(chǎng),并推動(dòng)了技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,帶來了更大的容量和更高的速度。這使得SD卡能夠跟上例如數(shù)碼相機(jī)分辨率(以及隨之而來的圖像尺寸)的提升。 Sandisk高級(jí)技術(shù)專家Yosi Pinto是首個(gè)SD卡標(biāo)準(zhǔn)的制定者。 未來趨勢(shì)和增長(zhǎng) microSD的未來一片光明,新興技術(shù)將進(jìn)一步推動(dòng)創(chuàng)新和普及。 新的重點(diǎn)包括: 人工智能和邊緣計(jì)算: microSD存儲(chǔ)卡為邊緣人工智能設(shè)備提供必要的存儲(chǔ)空間,支持快速訪問內(nèi)存進(jìn)行本地?cái)?shù)據(jù)處理,并減少對(duì)云連接的依賴。 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備: microSD存儲(chǔ)卡體積小巧、功耗低,非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,因?yàn)榭煽康拇鎯?chǔ)對(duì)于傳感器數(shù)據(jù)和設(shè)備日志至關(guān)重要。 擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR) 設(shè)備: microSD Express支持高分辨率XR內(nèi)容的無縫流式傳輸和渲染,提供身臨其境且響應(yīng)迅速的體驗(yàn)。 汽車:隨著汽車系統(tǒng)日益復(fù)雜,microSD存儲(chǔ)卡在數(shù)據(jù)記錄、導(dǎo)航系統(tǒng)和娛樂系統(tǒng)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。 半嵌入式存儲(chǔ):由于采用類似SSD的協(xié)議(PCIe/NVMe)且占用空間極小,這種小型設(shè)備可以取代現(xiàn)有的內(nèi)部主存儲(chǔ)設(shè)備(例如 M.2)或焊接式存儲(chǔ)(UFS或NVMe-BGA),從而實(shí)現(xiàn)更小/更薄的產(chǎn)品,以及/或者在更換焊接式存儲(chǔ)的情況下,將其用作便捷的可更換存儲(chǔ)。 符合新近通過的“維修權(quán)”規(guī)定。 END |
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