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前段時間的SID Display Week 2025已經(jīng)落下帷幕，每屆SID新的名詞都會使不太了解顯示行業(yè)的人員云里霧里 AMOLED,QLED,MiniLED,MciroLED,WOLED,QD-OLED,IPS,TN,VA a-Si:H,LTPS,LTPO等名詞使人眼花繚亂 這篇文章將為讀者講解，敘述如下內(nèi)容： 主流顯示的框架分類，基本原理以及名詞解釋 AMOLED-制程基本概述 第一部分： 主流顯示的分類，基本原理以及名詞解釋 平板顯示行業(yè)(FPD,Flat Panel Display)屬于光電行業(yè)的一個重要分支，使用電變成光，與之相反的是太陽能行業(yè)（Solar Cell）,使用光變成電 主流顯示技術(shù)主要有3種，LCD, OLED, MicroLED,常見的名詞由此展開 在此之前，需要了解一點前提：光的三基色：RGB,紅綠藍(lán)
通過這樣的邏輯，我們知道了彩色化的手段：通過紅綠藍(lán)三基色混合 LCD顯示原理: Liquid Cristal Display, 液晶顯示
·背光板(Backlight)發(fā)出的白光通過偏振片/液晶層 ·經(jīng)過紅綠藍(lán)濾光片得到RGB ·通過液晶層上施加的電壓控制混合亮度 ·像素共享一個白光面板 可以知道LCD主要由背光板/TFT Array/液晶層/濾光片等組成 了解LCD顯示面板的原理就能找到缺點，得到改進(jìn)的方向： 背光板改進(jìn)：像素共享整個背光板，一打開就全亮，造成功耗增加 分區(qū)背光： MiniLED,使用分區(qū)的小LED燈珠作為光源，把背光板切割成多個區(qū)域，單獨控制每個區(qū)域 量子點發(fā)光： QLED，采用藍(lán)光照射紅色/綠色量子點得到紅色/綠色，與原有的藍(lán)色混合得到白光 量子點： 在不同粒徑的納米材料（通常2-10nm）經(jīng)過光照射，發(fā)出不同的光
量子點技術(shù)在2023年獲得諾貝爾化學(xué)獎：
TFT Array: 薄膜晶體管陣列，主動矩陣必備，溝道材料的改進(jìn)，載流子移動率以及漏電率
TFT作為像素的開關(guān)，與MOSFET非常相似 半導(dǎo)體溝道材料的演變：載流子移動率增大有利于高分辨率/高刷新率顯示 a-Si:H：amorphous Silicon 非晶硅 LTPS：Low Temperature Poly-Silicon: 低溫多晶Si(采用308nm XeCl準(zhǔn)分子激光照射，ELA) Oxide：氧化物半導(dǎo)體,a-IGZO, indium gallium zinc oxide 氧化銦鎵鋅 LTPS 多晶硅圖像
液晶層：不同的液晶材料對外部電場的響應(yīng)不同，得到了不同的顯示性能 ·TN：Twisted Numatic ·IPS：In-Plane Switching ·VA：Vertical Alignment
所以: MiniLED, QLED屬于LCD范疇對背光的改進(jìn) IPS/TN/VA是液晶層的材料響應(yīng) a-Si:H,LTPS, Oxide是液晶背板的TFT（薄膜晶體管）溝道材料 AMOLED顯示原理：Active Matrix Organic Light Emitting Diode 主動有機發(fā)光二極管，有主動（AM）就有被動(PM)，PMOLED不采用TFT驅(qū)動背板，該項技術(shù)非主流顯示，不再贅述
·RGB對應(yīng)的有機發(fā)光材料通過TFT上下電極施加電壓 ·紅綠藍(lán)對應(yīng)的子像素發(fā)出對應(yīng)的RGB的光 ·混合產(chǎn)生色彩，無需背板，無電流為黑色，對比度高 AMOLED的原理更加簡單，屬于電激發(fā)光(EL) AMOLED優(yōu)點： 自發(fā)光,廣視角,廣色域,響應(yīng)時間快，有機材料做曲面屏,對比度高等優(yōu)勢 AMOLED在中小尺寸的消費級產(chǎn)品中，市占率已經(jīng)超過50% AMOLED由背板BP(Backplane)/OLED發(fā)光層/薄膜封裝（TFE）等組成 背板（Backplane，BP）改進(jìn)： a-Si:H的TFT，雖然很多企業(yè)嘗試使用a-Si:H驅(qū)動OLED,但是都失敗了， LTPS/Oxide TFT是目前的解決方案
對于AMOLED，背板工藝說明一下非常流行的LTPO技術(shù)解決思路：
AMOLED運行原理： 1. 水平分時掃描線（Scan Line）開啟Address TFT 2. 垂直分源（Data Line）同步輸入數(shù)據(jù) 3.對于需要點亮的RGB子像素，存儲電容充電，同時開啟Drive TFT 4.掃描線往下掃描，存儲電容在這一幀畫面內(nèi)維持亮度，維持的時間與刷新率有關(guān)，所以高刷顯示器充電要快 對于運行過程知道，Address TFT與Drive TFT的要求是不一樣的： Address TFT重點要求低漏電，防止存儲電容的電荷泄露，導(dǎo)致在一幀的其他時間無法維持亮度，畫面品質(zhì)變差 Drive TFT重點要求快速點亮OLED，載流子流動率要高 從電流電壓曲線圖上可以看到： LTPS TFT載子移動率高，Oxide(a-IGZO) TFT漏電流很低，優(yōu)勢互補 所以： LTPS TFT + IGZO TFT = LTPO By Apple-2018 Year 蘋果公司2018年優(yōu)先開發(fā)了LTPO技術(shù)，現(xiàn)在成為高端顯示器的必備制程 發(fā)光方案改進(jìn)，彩色化方案： 由于AMOLED自發(fā)光，沒有背光，但是有一個明顯的缺點： RGB子像素的有機發(fā)光材料壽命不同，特別是藍(lán)光材料（藍(lán)光光子能量最高），這會導(dǎo)致燒屏問題，導(dǎo)致顯示缺陷
于是，產(chǎn)業(yè)界開始解決這個問題：
1. WOLED: White OLED 使用高質(zhì)量的白色OLED，通過CF(Color Filter)過濾，得到RGB，彩色濾光片在LCD制程中是非常成熟的，這樣WOLED的老化速度基本可以保持一致，從而避免不同材料壽命不同問題 2.色彩轉(zhuǎn)換：Blue OLED + Color Conversion 使用Blue OLED，通過量子點薄膜轉(zhuǎn)換成紅/綠，加上原來的藍(lán)色，得到RGB三基色 3. OLED像素排列：像素的大小/排列減緩
4. Tandem多層堆疊方案：這個方案可以提高亮度，減少功耗，提高壽命 通過對OELD發(fā)光層的改造，增加CGL層串聯(lián)多個OLED發(fā)光，增加像素點壽命
所以： WOLED以及QD-OLED是OLED范疇 由于材料壽命不同的問題，使用不同的彩色化方式解決 LTPS/LTPO是OLED背板的TFT類型 MicroLED顯示原理： 無機材料的壽命普遍比較長,商場里面的大屏幕，如果近距離觀看，你會發(fā)現(xiàn)整個屏幕是由RGB三基色組成的LED燈珠組成的：
MicroLED即采用RGB無機LED燈珠發(fā)光，只是LED燈珠尺寸很小很小（小于100微米），得到高PPI（像素密度），滿足消費級近距離的需要，比如手機，Pad,穿戴設(shè)備，VR/AR MicroLED的制作，與半導(dǎo)體IC制程較為相似，采用外延/沉積/刻蝕等做出LED的結(jié)構(gòu),這些制程在IC行業(yè)都是非常成熟的 驅(qū)動電路還是可以使用LTPS TFT或者Oxide TFT
這些都不是難點，難點在于背板與LED燈珠的結(jié)合的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)（Mass Transfer）成本問題 MicroLED顯示基本全是優(yōu)點，除了一個致命的缺點：貴 論述完三種主流的顯示類型LCD/OLED/MicroLED以及相關(guān)的名詞原理， 以AMOLED制程先做一個簡單介紹： 第二部分： AMOLED制程說明概述 AMOLED目前在中小尺寸消費市場強勢：
AMOLED的顯示主要組成部分：
柔性AMOLED主要制程單元：
單詞解釋： BP：Backplane TFT背板
TSP:Touch Screen Panel觸摸 EAC:Even After Cutting LLO:Laser Lift-Off:激光剝離 Module:模組 AMOLED整體的結(jié)構(gòu)如下：
重點說明特種氣體的應(yīng)用： 薄膜沉積：Thin Film PECVD:等離子體增強化學(xué)氣相沉積，SiH4/N2O/NH3，沉積a-Si/SiNx/SiOx薄膜，NF3遠(yuǎn)程Plasma，用于腔室清洗 ALD：原子層沉積，可以采用TMA（三甲基鋁）與H2O沉積Al2O3薄膜，形成TFE薄膜封裝（Thin Film Encapsulation） 薄膜改性： ELA:準(zhǔn)分子激光退火，308nm XeCl準(zhǔn)分子激光照射a-Si相變成Poly-Si多晶Si IMP:離子注入，使用BF3,PH3/H2提供的磷原子與硼原子做注入原子，Xe做電子中和，防止電荷在基板積累 選擇Xe的原因： Xe是最容易電離的惰性氣體：
薄膜刻蝕：Dry Etch 干法刻蝕
BCl3/Cl2/Ar: Ti/Al/Ti的TFT源漏電極，以及TSP的金屬電極 BCL3與Cl2在Ti/Al/Ti中刻蝕的作用： BCl3： 用于還原表面氧化層的TiO2/Al2O3，BCl3離子通過物理轟擊增加各向異性，側(cè)壁鈍化，刻蝕坡面更佳，BCl3是刻蝕啟動以及刻蝕側(cè)壁優(yōu)化作用 Cl2： 用于刻蝕金屬，生成揮發(fā)性產(chǎn)物，是主要刻蝕氣體 刻蝕金屬Al，不可以用含F(xiàn)原子：從AlF3/AlCl3的熔點可以看出 刻蝕產(chǎn)物AlF3在制程溫度下是固體，沉積在基板，不可取 刻蝕產(chǎn)物AlCl3在制程溫度下是氣體，通過真空泵/PipingLine到Scrubber
激光剝離：LLO:Laser Lift-Off 使用激光加熱基底，柔性產(chǎn)品從基板上脫離（308nm XeCl準(zhǔn)分子激光） 概述一下LTPS的工藝，LTPS TFT有多種結(jié)構(gòu)，頂柵結(jié)構(gòu)是主流：
LTPS的工藝流程非常多樣，不同廠家的材料以及流程各不相同： 其中的一種：
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