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    接口電路防護設計要點解析

     yeshuheng 2025-09-02

    一、接口電路是電路中與用戶或者外界媒介進行交互的部分,是內部核心敏感電路和外部設備進行信息交互的橋梁。接口電路一般分為輸入接口電路和輸出接口電路兩種。接口電路的防護設計就是為了隔離外部危險的信號,防止外部干擾信息進入系統內部核心敏感電路,從而造成內部電路的永久損壞。

    二、接口電路的分類:電源接口、網絡接口、外殼接口、串行通信接口、并行通信接口、下載電路接口等。

    三、接口電路的防護處理包括:接口濾波、ESD防護、防雷防浪涌、防反接、緩啟動、熱拔插等。

    1. 網絡接口設計:

    一般在PHY芯片和外部RJ45接插件之間都需要一個網口變壓器和共模扼流圈。

    圖片1.png 

    網口變壓器的作用:

    (1)可以增強信號,使其傳輸距離更遠。

    (2)使PHY芯片與外部進行有效隔離,使其抗外部干擾能力增強(例如防雷擊等)。

    (3)當不同的PHY芯片的電平不匹配時(例如有的PHY芯片為2.5V,有的為3.3V),起到電平匹配的作用。

    網口變壓器的中心抽頭設計:與PHY芯片的類型有關,具體詳見PHY芯片的datasheet。

    (1)如果PHY芯片的驅動類型為電流驅動類型的,變壓器的中芯抽頭用一個0.1uF的電容接到GND即可。

    (2)如果PHY芯片的驅動類型為電壓驅動類型的,變壓器的中芯抽頭接到VCC即可。

    2. 下載電路接口設計:

    一般FPGA/ARM采用的程序下載接口都是JTAG接口。JTAG接口是經常使用的一類下載程序的接口,而且也是一類經常帶電拔插的接口,而帶電拔插會不可避免地產生一些靜電或浪涌電流,因此如果不采取一些防護措施,極易因為ESD靜電放射而擊穿JTAG相關引腳,甚至損害CPU內部核心電路,從而造成內部電路的永久損壞。

    圖片2.png 

    如上圖所示,采用鉗位二極管對JTAG接口電路進行保護,一般鉗位二極管采用肖基特二極管即可。當然JTAG下載器盡量不要帶電拔插使用,做好斷電后進行拔插操作,這樣可以最大程度避免可能的損害發生。

    3. CAN總線接口設計:

    CAN總線接口外部電路通過一對差分信號線和CAN收發器進行數據通信,因此在應用的過程中,通訊電纜很容易耦合外部的干擾從而對信號的傳輸產生影響,嚴重的會通過CAN接口電路傳輸到系統內部核心敏感電路中去,從而造成EMI問題。

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    如上圖所示,CAN接口防護器件主要包括:濾波電容、共模電感、跨接電容、TVS管。

    濾波電容C1,C2用于給干擾提供低阻抗的回流路徑,選取范圍為22pF~1000pF,典型值為100pF。

    共模電感L1用于濾除差分線上的共模干擾,阻抗選取范圍為120歐/100MHz~2200歐/100MHz,典型值為600歐/100MHz。

    跨接電容C3,C4用于接口地和數字地之間的隔離,典型值為1000pF/2KV。

    TVS管D1,D2用于防護靜電放射ESD或瞬間的高能量沖擊,使其線路的電壓鉗位在一個預定的數值內,從而確保后面的電路器件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。(TVS管功能類似鉗位二極管或壓敏電阻)

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    4. 外殼接口設計:

    如果設備外殼與大地接地良好,則PCB也應該與外殼進行良好的單點接地,這時PCB的干擾會通過外殼接地良好消除,對PCB也不會產生干擾。如果設備外殼沒有良好接大地,則PCB地與外殼地也不必互連。常見的外殼地與PCB地的單點接地電路主要采用阻容電路相連。

    (1)、從EMC角度考慮,電容C1是用來泄放干擾的,系統(PCB端)的高頻干擾噪聲匯聚到GND,并通過電容C1流到PGND,由于PGND與大地進行良好接觸,因此干擾噪聲得到有效抑制,改善了EMC問題。

    (2)、從ESD角度考慮,電阻R1是為了應付靜電放電測試用的。如果僅僅使用電容構成浮地系統,ESD測試產生的電荷無處釋放,會逐漸積累,當累積到一定的程度便會在PGND和GND最薄弱處擊穿放電,這樣會在短時間內在PCB上產生較大電流,足以損壞PCB上的電路與器件。因此通過電阻R1去慢慢釋放ESD產生的電荷,以消除PGND和GND之間的壓差是很有用的。

    5. 電源防反接技術:

    在電源供電的場合,經常碰到電源極性反接的情況,以至于造成不可逆的后果。

    (1)、硬件防反接技術:電源的接插件防反接等硬件機械處理。

    (2)、二極管防反接技術:利用二極管的單向導電性特性,防止電源的反接,但是此電路在實際中并不常用。因為二極管會存在導通壓降,造成輸出電壓降低,而且當電源電流過大時二極管消耗的功率較大,造成無用功耗的增加。

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    (3)、MOS管防反接技術:由于MOSFET具有極低的導通電阻,因此即使電流很大損耗也較小,非常適合以最低的損耗來實現電源的防反接處理。如下圖所示,NMOS管在接地回路,PMOS管在電源路徑。但是實際應用中使用PMOS管的更為常用,因為NMOS管在接地回路會對參考地平面產生影響甚至破壞接地回路,因此PMOS更為合適。另外需要注意的是,實際電路MOS管的柵極要串接限流電阻進行保護。

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