1.IGBT的基本結構
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會的文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。 N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region ）。而在漏區另一側的 P+ 區稱為漏注入區（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成 PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。
為了兼顧長期以來人們的習慣，IEC規定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。
IGBT的結構剖面圖如圖2所示。它在結構上類似于MOSFET ，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET 的N+基板（漏極）上增加了一個P+ 基板（IGBT 的集電極），形成PN結j1 ，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET相似。
圖1 N溝道IGBT結構 圖2 IGBT的結構剖面圖
由圖2可以看出，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區GTR ，其簡化等效電路如圖3所示。圖中Rdr是厚基區GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR 為主導件、MOSFET 為驅動件的復合結構。
N溝道IGBT的圖形符號有兩種，如圖4所示。實際應用時，常使用圖2－5所示的符號。對于P溝道，圖形符號中的箭頭方向恰好相反，如圖4所示。
IGBT 的開通和關斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET 內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通，此時，從P+區注到N一區進行電導調制，減少N一區的電阻 Rdr值，使高耐壓的 IGBT 也具有低的通態壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET 內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT 即關斷。
正是由于 IGBT 是在N 溝道 MOSFET 的 N+ 基板上加一層 P+ 基板，形成了四層結構，由PNP－NPN晶體管構成 IGBT 。但是，NPN晶體管和發射極由于鋁電極短路，設計時盡可能使NPN不起作用。所以說， IGBT 的基本工作與NPN晶體管無關，可以認為是將 N 溝道 MOSFET 作為輸入極，PNP晶體管作為輸出極的單向達林頓管。
采取這樣的結構可在 N一層作電導率調制，提高電流密度。這是因 為從 P+ 基板經過 N+ 層向高電阻的 N一層注入少量載流子的結果。 IGBT 的設計是通過 PNP－NPN 晶體管的連接形成晶閘管。
2.IGBT模塊的術語及其特性術語說明
|
術語
|
符號
|
定義及說明（測定條件參改說明書）
|
|
集電極、發射極間電壓
|
VCES
|
柵極、發射極間短路時的集電極，發射極間的最大電壓
|
|
柵極發極間電壓
|
VGES
|
集電極、發射極間短路時的柵極，發射極間最大電壓
|
|
集電極電流
|
IC
|
集電極所允許的最大直流電流
|
|
耗散功率
|
PC
|
單個IGBT所允許的最大耗散功率
|
|
結溫
|
Tj
|
元件連續工作時芯片溫廈
|
|
關斷電流
|
ICES
|
柵極、發射極間短路，在集電極、發射極間加上指定的電壓時的集電極電流。
|
|
漏電流
|
IGES
|
集電極、發射極間短路，在柵極、集電極間加上指定的電壓時的柵極漏電流
|
|
飽和壓降
|
V CE(sat)
|
在指定的集電極電流和柵極電壓的情況下，集電極、發射極間的電壓。
|
|
輸入電容
|
Clss
|
集電極、發射極間處于交流短路狀態，在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上指定電壓時，柵極、發射極間的電容
|
3.IGBT模塊使用上的注意事項
1. IGBT模塊的選定
在使用IGBT模塊的場合，選擇何種電壓，電流規格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。
a. 電流規格
IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，原件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控制器件結溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜），請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱也加劇，需十分注意。
一般來說，要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用，從經濟角度這是值得推薦的。
b.電壓規格
IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關。其相互關系列于表1。根據使用目的，并參考本表，請選擇相應的元件。
|
|
元器件電壓規格
|
|
600V
|
1200V
|
1400V
|
|
電源
電壓
|
200V；220V；230V；240V
|
346V；350V；380V；400V；415V；440V
|
575V
|
2. 防止靜電
IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合，由于會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點請注意。
在使用裝置的場合，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時（珊極處于開路狀態），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止這類損壞情況發生，應在柵極一發射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。
此外，由于IGBT模塊為MOS結構，對于靜電就要十分注意。因此，請注意下面幾點：
1) 在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部份。
2) 在用導電材料連接驅動端子的模塊時，在配線未布好之前，請先不要接上模塊。
3) 盡量在底板良好接地的情況下操作。
4) 當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。
5) 在焊接作業時，焊機與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產生，為了防止靜電的產生，請先將焊機處于良好的接地狀態下。
6) 裝部件的容器，請選用不帶靜電的容器。
3.并聯問題
用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時，可以使用多個器件并聯。
并聯時，要使每個器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達到破壞，那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。
為使并聯時電流能平衡，適當改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯是很重要的。
4.其他注意事項
1) 保存半導體原件的場所的溫度，溫度，應保持在常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5－35℃，常濕的規定為45—75％左右。
2) 開、關時的浪涌電壓等的測定，請在端子處測定。
