IGBT的工作原理

IGBT的等效電路如圖3-4所示。由圖3-4可知，若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成為低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：(1

    IGBT的等效電路如圖3-4所示。由圖3-4可知，若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成為低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

    (1) IGBT柵極與發射極之間的電壓。

    (2) IGBT集電極與發射極之間的電壓。

    (3) 流過IGBT集電極一發射極的電流。

    (4) IGBT的結溫。

    圖3-4    IGBT的等效電路

    如果IGBT柵極與發射極之間的電壓，即驅動電壓過低，則IGBT不能穩定正常地工作，如果過高，超過柵極一發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞。同樣，如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極一發射極之間的耐壓，流過IGBT集電極一發射極的電流超過集電極一發射極允許的最大電流，IGBT的結溫超過其結溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。

（責任編輯: 艾特貿易網 ）