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如同鋼鐵、石油是工業(yè)時代的“糧食”一樣，芯片是通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展最重要的“糧食”。沒有芯片，個人電腦、智能手機(jī)、數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品、通信基站、光通信等設(shè)備都無法正常運(yùn)轉(zhuǎn)。  一、什么是存儲芯片 存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、消費(fèi)電子、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，其銷售額占整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%，反映了一個國家或地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展水平。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 存儲芯片根據(jù)斷電后所儲存的數(shù)據(jù)是否會丟失，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器，其中DRAM與NAND Flash分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產(chǎn)值構(gòu)成來看，DRAM與NAND Flash已經(jīng)成為存儲芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。 根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2018年5月，全球半導(dǎo)體營收結(jié)構(gòu)中，存儲芯片仍以32%的占比位居第一。隨著下游應(yīng)用的需求，存儲芯片開始成為集成電路產(chǎn)業(yè)的主力，成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動力。  2018年5月全球半導(dǎo)體營收結(jié)構(gòu)（單位：%）  二、我國存儲芯片行業(yè)現(xiàn)狀 2017年，中國集成電路產(chǎn)品的市場格局，排在前三位的為：存儲芯片占比30%，專用集成電路占比28%及模擬集成電路占比17%。中國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場。  2017年中國集成電路產(chǎn)品銷售額細(xì)分結(jié)構(gòu)占比（單位：%） 中國作為最大的集成電路消費(fèi)國，自身企業(yè)的市場占有率卻很低，極大的消耗量，自給率卻很低，擁有者巨額的進(jìn)口，截至2018年上半年，我國集成電路進(jìn)口額一達(dá)到1467.12億美元。 得益于國產(chǎn)智能手機(jī)快速發(fā)展，我國成為全球最大存儲芯片采購國，且主要采購國外存儲芯片。2014年，我國采購了全球約兩成的存儲芯片，采購金額高達(dá)100億美元，2015年我國采購的存儲芯片金額約為全球存儲芯片市場的三成。 全球DRAM、NAND存儲芯片基本由美日韓企業(yè)壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢賺得盆滿缽滿。受制于資金和技術(shù)上的缺陷，我國本土的芯片制造企業(yè)仍然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品落后。  三、國內(nèi)主要存儲芯片企業(yè) 近兩年全球存儲芯片價格持續(xù)上漲對中國產(chǎn)生了巨大影響，導(dǎo)致本來就利潤微薄的行業(yè)飽受其苦，要打破這種局面發(fā)展自己的存儲芯片無疑是最好的辦法。目前，在存儲芯片領(lǐng)域，中國企業(yè)開始后起發(fā)力，形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動存儲芯片DRAM的合肥長鑫以及致力于普通存儲芯片的晉華。 1、長江存儲 從無到有，長江存儲是中國第一艘沖破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產(chǎn)業(yè)向空白地帶探索的一艘航空母艦。 2016年7月，由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建長江存儲。其中紫光集團(tuán)出資197億元，占股51.04%，從而對長江存儲形成控股。 作為一家集芯片設(shè)計、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售服務(wù)于一體的半導(dǎo)體存儲器企業(yè)，長江存儲為全球客戶提供先進(jìn)的存儲產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用在移動通信，計算機(jī)，數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。 長江存儲以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。 公司3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，核心廠區(qū)占地面積約1717畝，預(yù)計項目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，2023年年產(chǎn)值達(dá)1000億人民幣。 近日，長江存儲發(fā)布了全新3D NAND架構(gòu)XtackingTM，該技術(shù)將為3D NAND閃存提高I/O高性能、存儲密度，縮短產(chǎn)品上市周期。目前長江存儲已將該技術(shù)應(yīng)用于到第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。 2、福建晉華 另一大存儲器制造基地福建晉華在2017年11月即已完成了封頂，現(xiàn)今廠房外觀已接近完工。福建晉華力爭在2018年7月開始遷入機(jī)臺設(shè)備，并于2018年第三季度一期項目開始投入生產(chǎn)。 福建省晉華集成電路有限公司由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立的先進(jìn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。公司與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，開發(fā)先進(jìn)存儲器技術(shù)和制程工藝，并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。 臺聯(lián)電與晉華曾簽署了技術(shù)合作協(xié)議，接受晉華委托并開發(fā)DRAM存儲器相關(guān)的制程技術(shù)，晉華則提供DRAM特用設(shè)備并依開發(fā)進(jìn)度支付技術(shù)報酬金作為開發(fā)費(fèi)用，開發(fā)成果由雙方共同擁有。 此外，晉華集成電路已納入中國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃，公司將以實現(xiàn)集成電路芯片國產(chǎn)化為己任，旨在成為具有先進(jìn)工藝與自主知識產(chǎn)權(quán)體系的集成電路內(nèi)存（DRAM）制造企業(yè)。 原本預(yù)計2018年9月試產(chǎn)，并達(dá)到6萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模，現(xiàn)今整個項目正在加速推進(jìn)中。 3、合肥長鑫 在長江存儲順利開始生產(chǎn)國內(nèi)首款32層3D NAND閃存芯片的同時，合肥長鑫的存儲基地也在緊鑼密鼓的進(jìn)行中。2018年4月16日，據(jù)媒體報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，待裝機(jī)完成之后，從2018下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。 相比于長江存儲，合肥長鑫的成立要低調(diào)得多，直到2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣布，預(yù)計由合肥長鑫投資72億美元，興建12吋晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，未來完成后，預(yù)計最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬片規(guī)模。 此后，在NOR Flash 市場位居世界第三的兆易創(chuàng)新公告與合肥產(chǎn)投簽署了合作協(xié)議，雙方合作開發(fā)19nm的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發(fā)。 在管理層和技術(shù)人員方面，合肥長鑫也是強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，目前擔(dān)任公司董事長的王寧國，此前任全球第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備公司美國應(yīng)用材料公司全球執(zhí)行副總裁、華虹集團(tuán)CEO、中芯國際CEO；人才方面，公司大舉招聘海力士、爾必達(dá)、華亞科等的員工組成研發(fā)隊伍，華亞科前資深副總劉大維也成為了合肥長鑫的員工。 最新的消息顯示，王寧國在合肥集成電路重大項目發(fā)布會上表示，合肥長鑫DRAM內(nèi)存芯片一期（一廠廠房）已于2018年1月完成建設(shè)，并開始安裝設(shè)備；2018年底就將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲器的工程樣品；2019年底有望達(dá)到2萬片/月的產(chǎn)能；2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè)；2021年要完成對17nm工藝節(jié)點的技術(shù)研發(fā)。 素材來源：電子之家、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、英才雜志及網(wǎng)絡(luò)，由頭條號作者“蘇州智能制造”整理后發(fā)布，版權(quán)歸原作者所有，如涉及版權(quán)問題，請聯(lián)系我們刪除 |
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